碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅基板的底部氧化层增厚的制作方法，其特征在于，包括：提供碳化硅基板；形成沟槽结构于碳化硅基板之中；进行第一次热氧化，用于该沟槽结构之中形成顶部氧化层、底部氧化层与侧壁氧化层；沉积保护层于该顶部氧化层、该底部氧化层与该侧壁氧化层之上；进行刻蚀，以移除覆盖该底部氧化层上面的该保护层，直到该底部氧化层、侧壁氧化层裸露出来，以形成刻蚀区；进行第二次热氧化，用于刻蚀区中形成氧化层于该底部氧化层之上；其中该热氧化过程的实施温度为大于1100℃。