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一种发光器件激子特性参数反演方法及装置

摘要

本发明提供了一种发光器件激子特性参数反演方法及装置,属于发光器件领域,方法包括:构建基于发光器件TM/TE偏振态远场视角光谱、激子特性参数以及ETL膜层厚度的正向模型;调整正向模型中ETL膜层厚度,筛选出对激子分布函数敏感的第一ETL膜层厚度集;基于实际测量的TE偏振态远场视角光谱与基于最终ETL膜层厚度获取的理论TE偏振态远场视角光谱,结合线性拟合方法与非线性拟合方法,获取发光器件最终的激子分布函数;基于最终的激子分布函数和实际测量的TE偏振态远场视角光谱,采用最小二乘法反演得到激子取向参数。本发明无需提前获取激子分布初始形貌,实现了发光器件特性参数的准确、鲁棒性良好地反演。

著录项

  • 公开/公告号CN113465887A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202110705702.X

  • 申请日2021-06-24

  • 分类号G01M11/02(20060101);G01J3/28(20060101);G06F30/20(20200101);

  • 代理机构42267 武汉华之喻知识产权代理有限公司;

  • 代理人李君;方放

  • 地址 430074 湖北省武汉市珞喻路1037号

  • 入库时间 2023-06-19 12:46:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-20

    授权

    发明专利权授予

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