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一种具有介电叠层结构的PVDF基介电材料及制备方法

摘要

本发明一种具有介电叠层结构的PVDF基介电材料及制备方法,该材料依次包括Ba(Fe0.5Ta0.5)O3和PVDF压制后形成的边缘层、Ti3AlC2和PVDF压制后形成的中间层,以及Ba(Fe0.5Ta0.5)O3和PVDF压制后形成的顶层。制备时先将BFT和PVDF混合均匀后压制得到边缘层;再将TAC和PVDF混合均匀后置于边缘层上,压制得到中间层,最后将BFT和PVDF混合均匀后置于中间层上压制得到顶层,边缘层、中间层和顶层形成介电叠层结构的PVDF基介电材料,基于串联电容器模型,来提高复合材料的介电常数,从而实现在层数较少,制备工艺相对简单中实现高介电常数与低损耗。

著录项

  • 公开/公告号CN113442535A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西科技大学;

    申请/专利号CN202110826161.6

  • 发明设计人 王卓;王嘉惠;范家豪;

    申请日2021-07-21

  • 分类号B32B27/30(20060101);B32B27/18(20060101);B32B9/00(20060101);B32B9/04(20060101);B32B37/06(20060101);B32B37/10(20060101);C08L27/16(20060101);C08K3/22(20060101);C08K3/14(20060101);C08J5/18(20060101);H05K1/03(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人马贵香

  • 地址 710021 陕西省西安市未央区大学园

  • 入库时间 2023-06-19 12:45:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B32B27/30 专利申请号:2021108261616 申请公布日:20210928

    发明专利申请公布后的驳回

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