公开/公告号CN113442535A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 陕西科技大学;
申请/专利号CN202110826161.6
申请日2021-07-21
分类号B32B27/30(20060101);B32B27/18(20060101);B32B9/00(20060101);B32B9/04(20060101);B32B37/06(20060101);B32B37/10(20060101);C08L27/16(20060101);C08K3/22(20060101);C08K3/14(20060101);C08J5/18(20060101);H05K1/03(20060101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人马贵香
地址 710021 陕西省西安市未央区大学园
入库时间 2023-06-19 12:45:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B32B27/30 专利申请号:2021108261616 申请公布日:20210928
发明专利申请公布后的驳回
机译: 包含特定的Bao-Zno-B2O3-SIO2基玻璃的介电材料,具有高介电常数并抑制空载Q值的降低,其制备方法以及包含介电材料的LC过滤器
机译: 屏蔽印刷电路板具有信号传输层,信号传输层的一种介电材料包括一个部分,另一种介电材料包括另一部分,并且信号传输线布置在前一个部分中
机译: 用于存储计划的集成电子电路具有中间层,金属化层和停止层,每层均由相应区域中的介电材料制成,其中一种材料的相对介电常数大于另一种材料的介电常数