一种以卤化铅为铅源制备致密PbS量子点薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种以卤化铅为铅源制备致密PbS量子点薄膜的方法，包括以下步骤：第一步，制备前驱液：在10mL二甲基酰胺中加入0.05mmol卤化铅，加热溶液并保持温度在60‑80℃条件下，以1000‑1500r/min的转速进行充分搅拌，搅拌50‑60min至溶液澄清透明，即制备得到前驱液，待前驱液冷却至22‑25℃，然后用0.20‑0.25μm的微孔滤膜过滤后备用；第二步，配制Na2S溶液：先将0.1‑0.14gNa2S·9H2O溶于5mL去离子水中，然后再加入95mL的甲醇，便获得100mLNa2S·9H2O溶液。本发明制备的PbS量子点薄膜尺寸均一、分布均匀，结构致密，能够改进传统PbS量子点的缺陷，增进电荷传输，减小电荷复合，提高器件光电转换效率，且具有导电率高,光电转换效率高的优点，同时本发明制备工艺简单、成本低廉，具有良好的应用前景。