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公开/公告号CN113449834A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 希捷科技有限公司;
申请/专利号CN202110320742.2
发明设计人 A·多布瑞宁;P·G·麦卡弗蒂;K·A·麦克尼尔;
申请日2021-03-25
分类号G06K19/077(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人张鑫
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 12:43:46
机译: 包含自由层的磁阻效应元件具有多层结构,其中包括掺有4F电子元素的磁体
机译: 仅自由层的磁性读取器,其屏蔽层之间的距离可能减小,并且多层侧向偏置
机译: 具有多层铁素体结构的自由磁性层的磁传感器
机译:基于薄的CoFeB自由层和Co基多层合成反铁磁体固定层的垂直磁隧道结
机译:具有平面内磁化的合成反铁磁体自由层中的自旋扭矩切换和缩放
机译:具有合成反铁磁体自由层的电流垂直于平面的巨型磁阻纳米柱中的独特电流感应磁化转换
机译:具有常规自由层的合成自由层与旋转阀带的旋转阀带头的准静态和动态分析,具有传统的自由层和合成钉扎层
机译:涂层铁钴-铁钴钒纳米粒子的热等离子体合成,作为压实纳米晶体磁体的前体。
机译:纳米级厚铁扩散阻挡层使具有顶部Co2Fe6B2自由层的双MgO基p-MTJ自旋阀具有更高的TMR比和Δ。
机译:具有垂直磁各向异性的磁隧道结中作为参考层的合成反铁磁体和硬铁磁体的比较
机译:具有非线性铁的Costa磁体的摄动法。