公开/公告号CN113436971A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;
申请/专利号CN202110238865.1
申请日2021-03-04
分类号H01L21/3065(20060101);H01L21/308(20060101);H01L23/544(20060101);H01L21/68(20060101);
代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;
代理人秦晨
地址 美国亚利桑那
入库时间 2023-06-19 12:42:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3065 专利申请号:2021102388651 申请日:20210304
实质审查的生效
机译: 使用单掩膜步骤制造具有对准场掺杂的双阱CMOS半导体结构的工艺
机译: 切割电线的步骤,以形成用于木包装及类似产品的切点或单钉。 (通过Google翻译进行机器翻译,没有法律约束力)
机译: 使用3D打印机生产单齿替换结构的方法,用于生产单齿替换结构的3D打印机以及单齿替换结构