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一种负氢离子源系统

摘要

本发明公开了一种负氢离子源系统。该系统包括:等离子体产生装置和负氢离子引出装置;等离子体产生装置的等离子体出射口处设置负氢离子引出装置;负氢离子引出装置包括外壳、过滤磁场产生装置和扩散区;外壳内设置扩散区;外壳包括金属侧壁和金属顶面;金属顶面为静磁屏蔽面;金属顶面开设有等离子体通道;等离子体产生装置产生的等离子体从等离子体通道进入扩散区的顶部,并从扩散区的底部引出负氢离子;过滤磁场产生装置设置在金属侧壁的外部且位于扩散区的底部。本发明能够在冷却扩散区的电子的同时,避免等离子体产生装置内放电源区等离子体密度的降低。

著录项

  • 公开/公告号CN113438794A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN202110725106.8

  • 发明设计人 高飞;王英杰;王友年;

    申请日2021-06-29

  • 分类号H05H1/46(20060101);H05H3/06(20060101);G21B1/05(20060101);

  • 代理机构11833 北京化育知识产权代理有限公司;

  • 代理人尹均利

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2023-06-19 12:40:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-02-28

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H05H 1/46 专利申请号:2021107251068 申请公布日:20210924

    发明专利申请公布后的驳回

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