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公开/公告号CN113438794A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN202110725106.8
发明设计人 高飞;王英杰;王友年;
申请日2021-06-29
分类号H05H1/46(20060101);H05H3/06(20060101);G21B1/05(20060101);
代理机构11833 北京化育知识产权代理有限公司;
代理人尹均利
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2023-06-19 12:40:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-02-28
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H05H 1/46 专利申请号:2021107251068 申请公布日:20210924
发明专利申请公布后的驳回
机译: 使用半导体的负氢或重氢离子源
机译: 使用半导体的负氢或氘离子源
机译:薄层等离子体对无铯负氢/氘离子源的影响
机译:负氢收造成离子源的仿真与优化
机译:冷阴极负氢PIG型离子源放电特性的研究
机译:利用分流提取器利用磁控管离子源的低能量下负氢束的副微秒脱落
机译:Penning表面等离子体负氢离子源的VUV吸收光谱。
机译:新型表面辅助体积负氢离子源的研制
机译:中性束注入系统大负离子源中负氢(H?/ D?)离子产生,萃取和加速的积分模拟
机译:从气压限制的高功率氢/氘串联离子源中提取最佳H(sup(负))和D(sup(负))电流密度。