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直流磁控溅射法制备银、石墨/聚四氟乙烯复合电磁屏蔽膜层的方法

摘要

本申请涉及一种直流磁控溅射法制备银、石墨/聚四氟乙烯复合电磁屏蔽膜层的方法。将Ag颗粒和石墨粉末分散至PTFE中使得靶材具备导电性能,能够应用于直流溅射方法制备,避免了传统绝缘靶材采用射频溅射带来的成膜效率低、设备复杂等缺点。制备得到PTFE膜层能够降低铝蒙皮表面的表面能以达到疏水的目的,此外添加Ag粉末和石墨粉末后的PTFE靶材在溅射过程中Ag和石墨会在PTFE膜中形成Ag纳米颗粒和石墨纳米颗粒,纳米颗粒均匀分散在PTFE膜层中使得最终得到的PTFE表面呈现纳米级疏水结构,进一步提高疏水性能。石墨粉末与Ag粉末经过溅射后以纳米级颗粒的形式分散在PTFE膜层中,会对入射至膜层的电磁波产生反射次数,电磁屏蔽效能增强。

著录项

  • 公开/公告号CN113416937A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110965325.3

  • 发明设计人 杨红娜;蔡风园;修建;

    申请日2021-08-23

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/02(20060101);

  • 代理机构12233 天津市鼎拓知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱丽丽

  • 地址 300300 天津市东丽区开发区四纬路26号院内1号厂房B区

  • 入库时间 2023-06-19 12:40:27

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