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一种铌酸锂调制器及其静态偏置点无源补偿方法

摘要

本发明提供了一种铌酸锂调制器及其静态偏置点无源补偿方法,所述调制器包括有金属行波电极,还包括有绝缘体上铌酸锂薄膜以及静态偏置点补偿材料层,所述静态偏置点补偿材料层覆盖在绝缘体上铌酸锂薄膜上。所述方法包括有通过刻蚀或剥离工艺在铌酸锂薄膜层上覆盖静态偏置点补偿材料层。本发明避免了温度对铌酸锂调制器静态偏置点的影响,实现了静态偏置点补偿的功能。

著录项

  • 公开/公告号CN113419362A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN202110777897.9

  • 发明设计人 庄池杰;马昕雨;曾嵘;刘向东;

    申请日2021-07-09

  • 分类号G02F1/065(20060101);G02F1/03(20060101);G02B6/122(20060101);G02B6/125(20060101);G02F1/21(20060101);

  • 代理机构11594 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张迎新

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2023-06-19 12:40:27

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