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一种基于交变磁场扰动的磁流变液抗沉降存储装置

摘要

本发明实施例提供了一种基于交变磁场扰动的磁流变液抗沉降存储装置,该装置包括磁流变液存储器;隔磁底座;第一亥姆霍兹线圈、第二亥姆霍兹线圈、第三亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈;第一电源组件以及第二电源组件;第一电源组件与第一亥姆霍兹线圈和第三亥姆霍兹线圈连接,用于为第一亥姆霍兹线圈和第三亥姆霍兹线圈供电;第二电源组件与第二亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈连接,用于为第二亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈供电;其中,磁流变液存储器设于隔磁底座上,第一亥姆霍兹线圈、第二亥姆霍兹线圈、第三亥姆霍兹线圈和第四亥姆霍兹线圈分别设于隔磁底座,且将磁流变液存储器包围。

著录项

  • 公开/公告号CN113398818A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆科技学院;

    申请/专利号CN202110640310.X

  • 发明设计人 樊玉勤;谭仁兵;姚雪;

    申请日2021-06-09

  • 分类号B01F13/08(20060101);B65D25/02(20060101);H01F7/20(20060101);

  • 代理机构44728 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘英

  • 地址 400000 重庆市沙坪坝区大学城东路20号

  • 入库时间 2023-06-19 12:38:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01F13/08 专利申请号:202110640310X 申请日:20210609

    实质审查的生效

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