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公开/公告号CN113390804A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 西北矿冶研究院;
申请/专利号CN202110520195.2
发明设计人 刘静静;边振涛;赵坤;齐白羽;路军兵;邓永怀;卢昌祥;王卓;侯雪;高正娇;赵和存;杨卓融;
申请日2021-05-13
分类号G01N21/31(20060101);
代理机构62002 兰州中科华西专利代理有限公司;
代理人曹向东
地址 730900 甘肃省白银市白银区人民路19号
入库时间 2023-06-19 12:35:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/31 专利申请号:2021105201952 申请公布日:20210914
发明专利申请公布后的驳回
机译: 用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译: 砷酸镓中砷镓的含量测定方法(尤其是砷化镓)
机译: 用于制造砷化镓单晶晶片的硅掺杂砷化镓单晶锭,当砷化镓的凝固速率在预定范围内时,具有特定的结晶平均值
机译:在氯 - 氢混合物中砷化镓脂肪化化合物蚀刻镓砷化镓
机译:砷化镓和砷化镓衬底上用于X射线探测器的砷化镓p-i-p结构
机译:Nonohmic传导率和能量弛豫机制歌德罗斯特拉基土拉砷化镓/砷化铟镓/砷化镓20个电子气
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:砷化镓-氮化镓晶片融合和n-铝砷化镓/ p-砷化镓/ n-氮化镓双异质结双极晶体管。
机译:光电效应加速了砷化镓晶片上的电化学腐蚀和纳米压印工艺
机译:在抛光镓砷化镓晶片后化学机械平坦化浆料中急性和慢性毒性胶体氧化钛纳米粒子
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。