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公开/公告号CN113376748A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN202110675194.5
发明设计人 陈寅芳;徐长达;陈少康;李明;祝宁华;
申请日2021-06-17
分类号G02B6/293(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-06-19 12:32:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-02
授权
发明专利权授予
机译: 具有夹在四分之一波长分布的布拉格反射器之间的发光层的半导体发光器件
机译: 光波长合分波电路,使用了光波长合分波电路的光模块以及通信系统
机译: 使用光波长合分波回路和光波长合分波回路的光模块和光通信系统
机译:硅基射频集成电路应用中的多层布拉格反射器专用螺旋电感器
机译:垂直腔面发射激光器和慢光布拉格反射器波导器件的横向集成
机译:应用分布式布拉格反射器提高光伏器件集成的有机发光二极管的效率
机译:使用全介电SiO 2 inf> / AlN布拉格反射器的基于BST的可调TFBAR的硅基板集成
机译:使用选择性区域外延和分布式布拉格反射器表面光栅制造的集成光子器件的设计和表征。
机译:多孔硅的介电特性用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
机译:单片集成双波长分布式布拉格反射器激光光子集成电路芯片,用于连续波太赫兹生成
机译:用于垂直腔面发射激光器的Znse / CaF2四分之一波布拉格反射器