一种层状中高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了属于电子功能材料与器件技术领域的一种层状中高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷材料由A基片和B基片层状粘合而成，其中A基片由质量百分比为16％～17％的BaO、6.5％～45％的Sm2O3、8.5％～37％的Nd2O3、36％～40％的TiO2和0.0％～3.0％的Al2O3构成，B基片由质量百分比为21％～22％的CaO、29％～30％的Sm2O3、30％～50％的TiO2和0.0％～18％的Al2O3构成；这种微波介质陶瓷材料的介电常数为60～80，Q×f值为13000～22000GHz，谐振频率温度系数为‑5～+5ppm/℃。本发明制备的层状结构微波介质陶瓷材料的综合性能优于现有的中高介电常数微波介质陶瓷材料，制备方法避免了两种基片材料在高温下可能发生的化学反应，在介质谐振器、滤波器等微波器件制作领域有良好的应用前景。