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拾取性的评价方法、切晶粘晶一体型膜、切晶粘晶一体型膜的评价方法及分选方法、以及半导体装置的制造方法

摘要

本公开所涉及的拾取性的评价方法包括:准备至少依次具备基材层、压敏胶黏剂层及厚度10~100μm的晶片的层叠体的工序;将晶片单片化成面积为9mm2以下的多个芯片的工序;从基材层侧压入芯片的中央部的工序;及测定芯片的边缘从压敏胶黏剂层剥离时的边缘剥离强度的工序。

著录项

  • 公开/公告号CN113366621A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭和电工材料株式会社;

    申请/专利号CN201980090551.2

  • 申请日2019-05-10

  • 分类号H01L21/67(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人白丽

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-06-19 12:29:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-23

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/67 专利号:ZL2019800905512 变更事项:专利权人 变更前:昭和电工材料株式会社 变更后:株式会社力森诺科 变更事项:地址 变更前:日本东京 变更后:日本东京

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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