公开/公告号CN113366621A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-07
原文格式PDF
申请/专利权人 昭和电工材料株式会社;
申请/专利号CN201980090551.2
申请日2019-05-10
分类号H01L21/67(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人白丽
地址 日本东京
入库时间 2023-06-19 12:29:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-23
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/67 专利号:ZL2019800905512 变更事项:专利权人 变更前:昭和电工材料株式会社 变更后:株式会社力森诺科 变更事项:地址 变更前:日本东京 变更后:日本东京
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
机译: 拾取性能,切割/模具粘接膜,评价方法和分解膜的分选方法评价方法,以及半导体器件的制造方法
机译: 制造微晶半导体膜的方法,具有微晶半导体膜的薄膜晶体管以及具有微晶半导体膜的光电转换装置
机译: 制造微晶半导体膜的方法,具有微晶半导体膜的薄膜晶体管以及具有微晶半导体膜的光电转换装置