金刚石微通道热沉、制备方法和应用以及半导体激光器

摘要

本发明公开了一种金刚石微通道热沉、制备方法和应用以及半导体激光器，金刚石微通道热沉的制备方法包括以下步骤：步骤1，抛光Si片清洗并干燥；步骤2，将带有微通道栅孔的掩模版覆盖于Si片上，通过M‑RF‑PECVD设备在微通道栅孔内沉积类金刚石薄膜，取下掩模版，得到DLC/Si片；步骤3，利用湿法刻蚀对DLC/Si片进行刻蚀，使其表面形成微通道沟槽；步骤4，进行等离子体刻蚀处理，以去除Si片表面的DLC薄膜层和氧化层；步骤5，通过EACVD方法制备金刚石厚膜，得到Si/金刚石厚膜；步骤6，对金刚石厚膜进行抛光；步骤7，利用湿法刻蚀去除作为衬底的Si片，清洗干燥，得到金刚石微通道热沉。本发明的金刚石微通道热沉可增加与冷却液接触的比表面积，可有效提高半导体激光器的散热性能。