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一种悬式瓷绝缘子的半导体釉及其制备方法

摘要

本发明提供一种悬式瓷绝缘子的半导体釉及其制备方法,涉及半导体釉技术领域。该一种悬式瓷绝缘子的半导体釉,包括:釉原料、导电性金属氧化物填料、耐磨填料和助溶剂,且釉原料、导电性金属氧化物填料、耐磨填料和助溶剂的质量比为(45~60):(15~30):(12~16.5):(14~18.5)。通过加入煅烧氧化锌、锂瓷石和锂辉石的釉原料收缩性小,釉面不易出现针孔和裂纹,确保釉面的憎水性和防尘效果,以此降低闪络的发生概率,通过在釉原料中加入二氧化硅、硅酸锆和碳化硼按,进一步增强釉料的机械强度、硬度和耐磨性,同时还能提高釉料的耐化学腐蚀性和粘度,使得釉料附着在悬式半导体绝缘子上后能承受更大的外力荷载。

著录项

  • 公开/公告号CN113321418A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 萍乡强盛电瓷制造有限公司;

    申请/专利号CN202110774929.X

  • 发明设计人 谢鹏;谢涛;赵明彪;陈玉;

    申请日2021-07-08

  • 分类号C03C8/00(20060101);

  • 代理机构11921 北京精翰专利代理有限公司;

  • 代理人冯琼

  • 地址 337000 江西省萍乡市芦溪县工业园

  • 入库时间 2023-06-19 12:24:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-11

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C03C 8/00 专利申请号:202110774929X 申请公布日:20210831

    发明专利申请公布后的驳回

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