首页> 中国专利> 一种大量添加粉煤灰的抛釉瓷砖的制备方法

一种大量添加粉煤灰的抛釉瓷砖的制备方法

摘要

本发明公开了一种大量添加粉煤灰的抛釉瓷砖的制备方法,本发明以粉煤灰为主要原料,采用晶透熔块面釉,通过提高面釉的始溶温度,可尽量排除坯体中的有机物,避免因粉煤灰有机物含高,不利于快烧,烧成中容易造成黑心氧化不良,釉面起色的问题,并在抛釉中采用晶透耐磨熔块釉,既降低了釉面的熔融温度又保证了釉面的耐磨硬度,最后采用高温保温的方式用于提升砖体的强度和平整度,有效的实现了废弃物的资源化利用,大幅度降低了烧成温度,缩短了烧成周期,显著降低了生产成本,因此具有广阔的市场背景。

著录项

  • 公开/公告号CN113307606A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朔州恒锐达建陶有限公司;

    申请/专利号CN202110629172.5

  • 申请日2021-06-04

  • 分类号C04B33/135(20060101);C04B33/13(20060101);C04B41/89(20060101);C03C8/14(20060101);

  • 代理机构14115 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人郭海燕

  • 地址 036000 山西省朔州市应县臧寨乡韩家坊村北

  • 入库时间 2023-06-19 12:22:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-02-01

    著录事项变更 IPC(主分类):C04B33/135 专利申请号:2021106291725 变更事项:申请人 变更前:朔州恒锐达建陶有限公司 变更后:朔州恒瑞达建陶有限公司 变更事项:地址 变更前:036000 山西省朔州市应县臧寨乡韩家坊村北 变更后:036000 山西省朔州市应县臧寨乡韩家坊村北

    著录事项变更

说明书

技术领域

本发明涉及无机金属材料陶瓷技术领域,尤其涉及一种大量添加粉煤灰的抛釉瓷砖的制备方法。

背景技术

粉煤灰作为周边电厂废弃资源,产量大,处理难,而近年来陶瓷行竞争日趋激烈,合理利用周边资源节能降耗是企业发展的必由之路,最大限度利用粉煤灰作为陶体坯体原料也刻不容缓。

发明内容

为解决现有技术的缺点和不足,提供一种大量添加粉煤灰的抛釉瓷砖的制备方法,主要采用粉煤灰作为陶体坯体主要原料,它能够有效的实现废弃物的资源化利用,大幅度降低了烧成温度,缩短了烧成周期,显著降低了生产成本。

为实现本发明目的而提供的一种大量添加粉煤灰的抛釉瓷砖的制备方法,包括以下步骤:

(1)坯体底层粉料的制备:

所述坯体底层粉料的质量百分比为::粉煤灰:45-50%、粘土15-20%、滑石3-5%、石英10-15%、钾钠长石20-25%;

所述坯体底层粉料的颗粒级为:20目上≤0.5%、40目上20-30%、40-60目上30-50%、100目下<3%;

所述坯体底层粉料的化学成份百分比组成为:SiO

所述坯体底层粉料水份为:8.0-8.5%,颗粒级配为:20目上≤0.5%、20目-40目:20-30%、40目-60目:30-50%、100目下<3%;

(2)坯体制备:

将坯体底层粉料用传送带送入压机成型,制成生坯;

(3)生坯干燥:将压制成型的生坯传送到干燥窑,先在200℃温度烘30min,在200°-150°再烘30min制成瓷砖坯体,所述瓷砖坯体的含水率达到0.5%以下,出砖温度控制在100-110℃,干燥强度达到1.2-1.5bar;

(4)釉线喷水:瓷砖坯体出干燥窑后送入釉线喷水,施水量为40-60g,以保护瓷砖坯体表面湿润,打开瓷砖坯体表面的毛孔;

(5)面釉的制备:

所述面釉的原料组成百分比为:石英:10-15%、煅烧高岭土:15-25、烧滑石:10-15%、氧化铝:15-20%、钾长石:20-30%、熔块:10-15%;

所述熔块的化学成分百分比组成为:Na

所述面釉的化学成分组成为:SiO

(6)喷墨印花:应板面花色要求调配花色;

(7)抛釉制备:

所述抛釉层的原料组成百分比为:钾长石:25%、熔块:20%、高岭土:10%、氧化锌:3.5%、碳酸钡:6.5%、方解石:5%、滑石:5%、刚玉:3%、碳酸锶:2%、钠长石:5%、白云石:10%;

(8)制备底釉:在瓷砖坯体的底部施加底釉,所述底釉的原料组成百分比为:100%氧化镁;其制备方法为:将底釉的原料装入球磨设备内球磨制备成底釉浆料,出球磨的底釉浆料过250目筛,全通过,比重控制在:1.15-1.25g/cm

(9)烧制:将步骤(8)中处理后的瓷砖坯体先在45°-980°温度烧制10min,再在980°-1180°温度烧制15min,再在1200℃温度烧制10min,最后在1000℃温度冷却10min;

(10)通过抛光机抛光打蜡。

作为上述方案的进一步改进,所述步骤(1)中坯体底层粉料的制备工序为:先将粉煤灰提纯,后将所有原料分别破碎过80目筛全通过然后装入喂料机,按坯体底层粉料配方用全自动配料系统配料,混合均匀后装入连续球磨机设备内球磨制出底层浆料,出磨的底层浆料导入干燥塔进行干燥,制成坯体底层粉料备用。

作为上述方案的进一步改进,所述步骤(5)中所述面釉原料制备工序为按面釉配方称取原料,混合均匀后装入球磨设备内球磨制备成面釉浆料,出球磨的面釉浆料过325目筛后搅拌均匀,细度为0.2-0.5%,比重为:1.8-1.87g/cm

作为上述方案的进一步改进,所述步骤(7)中所述抛釉原料制备工序为:按抛釉配方称重原料,混合均匀后装入球磨设备内球磨制备成抛釉浆料,出球磨的抛釉浆料过325目筛,比重为:1.84-1.88g/cm

作为上述方案的进一步改进,出球磨的所述底层浆料水份为:35-38%,比重为:1.63-1.68g/cm

本发明的有益效果是:

与现有技术相比,本发明提供的一种大量添加粉煤灰的抛釉瓷砖的制备方法,本发明以粉煤灰为主要原料,采用晶透熔块面釉,通过提高面釉的始溶温度,可尽量排除坯体中的有机物,避免因粉煤灰有机物含高,不利于快烧,烧成中容易造成黑心氧化不良,釉面起色的问题,并在抛釉中采用晶透耐磨熔块釉,既降低了釉面的熔融温度又保证了釉面的耐磨硬度,最后采用高温保温的方式用于提升砖体的强度和平整度,有效的实现了废弃物的资源化利用,大幅度降低了烧成温度,缩短了烧成周期,显著降低了生产成本,因此具有广阔的市场背景。

附图说明

以下结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明,其中:

图1为本发明的工艺流程图。

具体实施方式

如图1所示,为实现本发明目的而提供的一种大量添加粉煤灰的抛釉瓷砖的制备方法,包括以下步骤:

(1)坯体底层粉料的制备:

坯体底层粉料的质量百分比为::粉煤灰:45-50%、粘土15-20%、滑石3-5%、石英10-15%、钾钠长石20-25%;步骤(1)中坯体底层粉料的制备工序为:先将粉煤灰提纯,后将所有原料分别破碎过80目筛全通过然后装入喂料机,按坯体底层粉料配方用全自动配料系统配料,混合均匀后装入连续球磨机设备内球磨制出底层浆料,出磨的底层浆料导入干燥塔进行干燥,制成坯体底层粉料备用,出球磨的底层浆料水份为:35-38%,比重为:1.63-1.68g/cm

坯体底层粉料的颗粒级为:20目上≤0.5%、40目上20-30%、40-60目上30-50%、100目下<3%;

坯体底层粉料的化学成份百分比组成为:SiO

坯体底层粉料水份为:8.0-8.5%,颗粒级配为:20目上≤0.5%、20目-40目:20-30%、40目-60目:30-50%、100目下<3%;

(2)坯体制备:

将坯体底层粉料用传送带送入压机成型,制成生坯;

(3)生坯干燥:将压制成型的生坯传送到干燥窑,先在200℃温度烘30min,在200°-150°再烘30min制成瓷砖坯体,瓷砖坯体的含水率达到0.5%以下,出砖温度控制在100-110℃,干燥强度达到1.2-1.5bar;

(4)釉线喷水:瓷砖坯体出干燥窑后送入釉线喷水,施水量为40-60g,以保护瓷砖坯体表面湿润,打开瓷砖坯体表面的毛孔;

(5)面釉的制备:

面釉的原料组成百分比为:石英:10-15%、煅烧高岭土:15-25、烧滑石:10-15%、氧化铝:15-20%、钾长石:20-30%、熔块:10-15%;步骤(5)中面釉原料制备工序为,按面釉配方称取原料,混合均匀后装入球磨设备内球磨制备成面釉浆料,出球磨的面釉浆料过325目筛后搅拌均匀,细度为0.2-0.5%,比重为:1.8-1.87g/cm

熔块的化学成分百分比组成为:Na

面釉的化学成分组成为:SiO

(6)喷墨印花:应板面花色要求调配花色;

(7)抛釉制备:

抛釉层的原料组成百分比为:钾长石:25%、熔块:20%、高岭土:10%、氧化锌:3.5%、碳酸钡:6.5%、方解石:5%、滑石:5%、刚玉:3%、碳酸锶:2%、钠长石:5%、白云石:10%;步骤(7)中抛釉原料制备工序为:按抛釉配方称重原料,混合均匀后装入球磨设备内球磨制备成抛釉浆料,出球磨的抛釉浆料过325目筛,比重为:1.84-1.88g/cm

(8)制备底釉:在瓷砖坯体的底部施加底釉,底釉的原料组成百分比为:100%氧化镁;其制备方法为:将底釉的原料装入球磨设备内球磨制备成底釉浆料,出球磨的底釉浆料过250目筛,全通过,比重控制在:1.15-1.25g/cm

(9)烧制:将步骤(8)中处理后的瓷砖坯体先在45°-980°温度烧制10min,再在980°-1180°温度烧制15min,再在1200℃温度烧制10min,最后在1000℃温度冷却10min;

(10)通过抛光机抛光打蜡。

以上实施例不局限于该实施例自身的技术方案,实施例之间可以相互结合成新的实施例。以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而并非对其进行限制,凡未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换,其均应涵盖在本发明技术方案的范围内。

去获取专利,查看全文>

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号