一种具有提高接触面积的平面肖特基整流器件及制造方法

摘要

本发明提出一种具有提高接触面积的平面肖特基整流器件及其制造方法，器件肖特基势垒的硅层包括与势垒金属相接形成接触面的凹凸结构；制造方法的热氧化过程中，以带镂空区域的氮化硅屏蔽层遮挡器件衬底的硅表面形成保护区域，保护区域内的硅表面在热氧化过程不被消耗，氮化硅屏蔽层以淀积氮化硅工艺成型，屏蔽层镂空区域下方的硅表面位于保护区域外，在热氧化过程被氧化消耗，使硅表面产生与镂空结构对应的硅台阶，形成肖特基势垒处三维立体的凹凸结构；本发明在反向电压下，仍然采用传统的平面肖特基P+环工艺做反向截止；在加正向电压时，电流通过硅表面及台阶四周的势垒层进行导通，由于增加了台阶四周的接触面积，从而降低了正向电流下的电压。