一种具有低导通压降的超势垒整流器件

摘要

本发明公开了一种具有低导通压降的超势垒整流器件，包括背面金属层、第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体重掺杂源区、栅氧化层、多晶硅栅极、正面金属层和第一导电类型半导体重掺杂区，本发明通过创造性设计正面金属层结构及其与之接触的相关区域布置，在通过设置第一导电类型半导体重掺杂区，使得本发明形成多道电流路径分布，且由于第一导电类型半导体重掺杂区设置，使得初始电流路径的电压更低，且稳定性高，本发明结构简单，工艺制备相对容易，实用性强。