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硅基光通信C波段高线性面发射激光光源及其制作方法

摘要

本发明涉及一种硅基光通信C波段高线性面发射激光光源,包括左激光芯片、右激光芯片和二阶光栅波导;所述二阶光栅波导两侧设置有喇叭口波导;所述左激光芯片、右激光芯片分别与二阶光栅波导两侧设置的喇叭口波导相连。本发明采用P面朝下生长的方法解决了常规激光器通过表面发热困难的问题,激光器量子阱发热直接通过衬底进行导热,有效改善激光器的高温线性度和特征温度;采用绝缘的掺Fe InP实现脊条型的电注入区域,并实现相邻激光芯片的电隔离,但光学上又相互耦合形成相干光,左右激光芯片实现激光器有效增益体积的增大,有效提高输出光功率。

著录项

  • 公开/公告号CN113300218A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福建中科光芯光电科技有限公司;

    申请/专利号CN202110560796.6

  • 申请日2021-05-22

  • 分类号H01S5/18(20210101);H01S5/12(20210101);H01S5/20(20060101);H01S5/34(20060101);H01S5/343(20060101);

  • 代理机构35100 福州元创专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈鼎桂;蔡学俊

  • 地址 362712 福建省泉州市石狮市高新区创新创业中心11#厂房1层

  • 入库时间 2023-06-19 12:19:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-14

    授权

    发明专利权授予

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