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一种三层梯度GIS/GIL支撑绝缘子的制备方法

摘要

本发明公开了一种三层梯度GIS/GIL支撑绝缘子的制备方法,以降低绝缘子沿面或局部区域电场强度为优化目标,利用变密度算法求解支撑绝缘子内部介电常数的最优空间分布;根据优化结果,将介电常数发生变化区域分为介电常数过渡区域和高介电区域,并将介电常数过渡区域的结合轮廓提取出来,随后利用光固化3D打印生成带有支撑和树脂浇注口中空介电常数过渡区域;采用高介电填料/聚合物共混的方式制备可热固化的高介电复合材料,随后将高介电复合材料倒入介电常数过渡区域,并整体放入金属模具中予以固定;采用低介电填料/聚合物共混的方式制备可热固化的高介电复合材料,随后倒入金属模具中,真空中固化完成后即可得到三层梯度GIS/GIL支撑绝缘子。

著录项

  • 公开/公告号CN113284684A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202110701103.0

  • 申请日2021-06-23

  • 分类号H01B19/00(20060101);B29C69/00(20060101);B29C64/106(20170101);B29C64/176(20170101);B29C64/188(20170101);B29C64/393(20170101);B29C39/00(20060101);B29C39/02(20060101);B29C39/10(20060101);B29C39/42(20060101);B29C39/44(20060101);B33Y10/00(20150101);B33Y50/02(20150101);B29K63/00(20060101);B29L31/34(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人高博

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2023-06-19 12:16:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-22

    授权

    发明专利权授予

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