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公开/公告号CN113285013A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-20
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN202110425586.6
发明设计人 张雪峰;朱凝;陈迎鑫;张鉴;
申请日2021-04-20
分类号H01L41/18(20060101);H01L41/37(20130101);B82Y30/00(20110101);
代理机构33109 杭州杭诚专利事务所有限公司;
代理人尉伟敏;薄盈盈
地址 310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区
入库时间 2023-06-19 12:16:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-25
授权
发明专利权授予
机译: 大型,高介电击穿强度的氧化钛基介电陶瓷材料,制备方法和应用
机译: 大型,高介电击穿强度氧化钛基介电陶瓷材料,制备方法及其应用
机译: 具有高介电强度的具有烧绿石结构的陶瓷氧化物材料的制备方法和该方法在微电子应用中的使用方法
机译:一种新型的耐CO的PtRu核壳结构电催化剂,其中富核和富壳的Ru用于氢氧化反应及其在质子交换膜燃料电池中的应用
机译:MWCNTs-TiO2核壳纳米组件,用于制造具有高击穿强度和放电能量密度的聚偏二氟乙烯基复合材料
机译:具有核壳结构的Al2O3改性Pb-0.99(Zr0.95Ti0.05)(0.98)Nb0.02O3铁电陶瓷的击穿强度提高
机译:高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进制成垂直2DHG金刚石金刚石MOSFET
机译:用于催化应用的多孔核壳纳米结构。
机译:多层结构的高击穿强度和能量密度铁电复合材料
机译:夹层结构的聚合物复合材料与CoreShell结构Batio3 @ SiO2 @ PDA显着提高了高电容器的击穿强度和能量密度
机译:用于紧凑型脉冲功率应用的高击穿强度,多层陶瓷