开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法

摘要

本发明提供了一种开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法。抑制器件具有封装的外壳，外壳上具有接出的输入端、输出端和控制端，并且抑制器件的内部包括：控制电路和晶体管，控制电路的一端连接控制端，晶体管包括第一电极、第二电极和控制电极，其中，第一电极和第二电极分别连接输入端和输出端，控制电极连接控制电路，控制电路适于抑制开机冲击电流。本发明的一种开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法，可靠性高且通用性强，可以简单方便的对开机冲击电流进行抑制。

说明书

技术领域

本发明主要涉及控制电路领域，尤其涉及一种开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法。

背景技术

电子设备的供电主要通过交流电网或直流供电系统，为实现稳定的供电，通常会在输入的一侧采用大容量电容器进行储能。然而，在电子设备开机时，输入端口的大容量电容器会瞬间充电，从而导致巨大的冲击电流，称为开机冲击电流(Inrush Current)。

当开机冲击电流出现时，后级电路还没有开始工作，后级电路的软启动功能没有发挥作用。在此基础上，开机冲击电流对交流电网或直流供电系统会产生瞬间短路，进而对周边的电子设备产生影响，严重时会导致周边电子设备重启、乱码和死机等故障。而电子设备的性能指标中会有一项开机冲击电流指标，用于系统集成中保险丝的选型。由此可见，对开机冲击电流的抑制是有利于电路保护和控制的重要的操作。

目前，本领域内常用的方法是采用在电子设备的输入端串接热敏电阻，利用热敏电阻在常温下高阻、高温下低阻的负温度特性来抑制开机冲击电流。但是，串接热敏电阻会导致系统增加额外的损耗，显著降低整机能效。而且，在重复启动时，由于热敏电阻无法快速地降温到常温，热敏电阻就无法恢复高阻，依然会导致较大的开机冲击电流。除此之外，在电子设备稳态工作时，热敏电阻要维持在低阻状态，必须保持本体温度在80℃～100℃左右，这样会影响周边器件的温升和可靠性，严重时还会过热损坏。

为避免上述的问题，领域内的技术人员不得不采用在开机且设备启动后，用继电器来短路热敏电阻，一方面可以省去热敏电阻的功耗，另一方面，可以让热敏电阻保持在常温状态，从而维持高阻状况，以满足反复开机时开机冲击电流抑制的效果。

但是，继电器的加入又带来2个新缺点：首先，继电器吸合和断开会出现拉弧，拉弧会产生电磁干扰，引起周边设备的异常工作。除此之外，还会带来继电器触点可靠性的新问题。继电器触点会产生氧化，导致继电器短路的阻抗增加，进而引起较高的功耗，尤其是沿海或户外长期工作的电子设备，如空调、光伏逆变器等。同时，继电器的弹片会有疲劳效果，长期工作后会引起触点闭合不良，甚至失败，这样就无法实现短路热敏电阻的目的，严重时甚至会导致热敏电阻的过热损坏。由于热敏电阻是串接在输入端，热敏电阻的时效会直接导致电子设备的供电切断而无法工作，带来严重的后果。

由此看来，领域内尚缺少一种通用性高的且对电路整体影响较小的开机冲击电流的抑制的方式和手段。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法，可靠性高且通用性强，可以简单方便的对开机冲击电流进行抑制。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种开机冲击电流的抑制器件，所述抑制器件具有封装的外壳，所述外壳上具有接出的输入端、输出端和控制端，以及所述抑制器件的内部包括：控制电路和晶体管，所述控制电路的一端连接所述控制端，所述晶体管包括第一电极、第二电极和控制电极，其中，所述第一电极和第二电极分别连接所述输入端和输出端，所述控制电极连接所述控制电路，所述控制电路适于抑制开机冲击电流。

在本发明的一实施例中，所述控制电路包括串联连接的第一电阻、第二电阻以及与所述第二电阻并联的电容，其中，所述第一电阻的一端连接所述控制端，所述第二电阻的一端连接所述第一电阻、另一端连接所述输入端和所述第一电极。

在本发明的一实施例中，所述抑制器件的内部还包括二极管，与所述电容并联。

在本发明的一实施例中，所述抑制器件的内部还包括第三电阻，串联在所述电容和第二电阻之间。

本发明的另一方面还提出了一种开机冲击电流的抑制系统，包括电源、后级电路以及上述开机冲击电流的抑制器件，所述抑制器件位于所述电源和后级电路之间，其中，所述抑制器件的输入端连接所述电源，所述抑制器件的输出端连接所述后级电路，所述抑制器件的控制端连接所述电源或连接外部控制电路，且所述外部控制电路适于单独控制所述控制端的电压。

为了解决以上的技术问题，本发明还提供了一种开机冲击电流的抑制方法，包括如下的步骤：提供上述开机冲击电流的抑制器件，在封装后的所述抑制器件的外壳上接出输入端、输出端和控制端；将所述输入端连接至电源，将所述输出端连接至后级电路，并将所述控制端连接至所述电源或外部控制电路；以及控制所述控制端的电压，以使所述抑制器件中的晶体管在开机时依次处于截止关断区、阻抗变化区和通态区。

在本发明的一实施例中，当将所述控制端连接至所述外部控制电路时，控制所述控制端的电压包括所述外部控制电路单独控制所述控制端的电压，以使所述晶体管在开机时依次处于所述截止关断区、阻抗变化区和通态区。

在本发明的一实施例中，当所述电源为交流输出时，将所述输入端和输出端分别连接所述电源和所述后级电路的负极，而当所述电源为直流输处时，将所述输入端和输出端分别连接所述电源和所述后级电路的正极。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明的开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法根据晶体管阻抗变化区的阻抗特性来抑制开机冲击电流，并利用其通态区低阻特性来进一步降低正常工作时的通态功耗，同时截止关断区可以通过切断后级电路连接来实现对后级电路的保护功能；在此基础上，本发明中开机冲击电流的抑制手段仅采取了简单的电路排布并选取外接引脚的封装模式，从而有效提高了开机冲击电流抑制手段的可靠性和通用性。

附图说明

包括附图是为提供对本申请进一步的理解，它们被收录并构成本申请的一部分，附图示出了本申请的实施例，并与本说明书一起起到解释本发明原理的作用。附图中：

图1是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制器件的外观示意图；

图2是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制器件的内部结构示意图；

图3a～3c分别是本发明另外一实施例的一种开机冲击电流的抑制器件的内部结构示意图

图4a和图4b分别是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制系统的外观示意图；

图5a和图5b分别是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制系统的内部结构示意图；

图6是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制方法的流程示意图。

图7是一电路的仿真波形图；以及

图8是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制系统的仿真波形图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本申请的实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本申请应用于其他类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。

如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。

除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

在本申请的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，尽管本申请中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本申请说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本申请。

应当理解，当一个部件被称为“在另一个部件上”、“连接到另一个部件”、“耦合于另一个部件”或“接触另一个部件”时，它可以直接在该另一个部件之上、连接于或耦合于、或接触该另一个部件，或者可以存在插入部件。相比之下，当一个部件被称为“直接在另一个部件上”、“直接连接于”、“直接耦合于”或“直接接触”另一个部件时，不存在插入部件。同样的，当第一个部件被称为“电接触”或“电耦合于”第二个部件，在该第一部件和该第二部件之间存在允许电流流动的电路径。该电路径可以包括电容器、耦合的电感器和/或允许电流流动的其它部件，甚至在导电部件之间没有直接接触。

本发明的一实施例提出了一种开机冲击电流的抑制器件，可靠性高且通用性强，可以简单方便的对开机冲击电流进行抑制。

如图1所示，是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制器件10的外观示意图。

在图1中可以看出，抑制器件10具有封装的外壳(使用虚线示出)，该外壳上具有接出的输入端11、输出端12和控制端13。在抑制器件的内部包括控制电路和晶体管，晶体管包括第一电极21、第二电极22和控制电极23，其中，第一电极21和第二电极22分别连接输入端11和输出端12，控制电极23连接控制电路，控制电路适于抑制开机冲击电流。

进一步具体的，在本发明的一实施例中，如图1所示的抑制器件10的内部结构示意图如图2所示。在图2中可以看出，抑制器件10内部的控制电路部分包括串联连接的第一电阻R1和第二电阻R2，其中，第一电阻R1的一端连接控制端13，第二电阻R2的一端连接第一电阻R1、另一端连接输入端11。在此基础上，抑制器件10的内部控制电路部分还具有与第二电阻R2并联的电容C1。而抑制器件10内部的晶体管Q1连接在输入端11和输出端12之间。

在如图2所示的实施例中，晶体管Q1具有第一电极21、第二电极22和控制电极23，第一电极21和第二电极22分别连接抑制器件10的输入端11和输出端12，控制电极23连接控制电路、特别地连接至第一电阻R1的另一端，具体来说，第一电阻R1的一端连接控制端13、而另一端连接控制电极23。

示例性的，在如图2所示的实施例中，晶体管Q1为N型金属氧化物半导体NMOS，NMOS的栅极(即控制电极23)连接至第一电阻R1和第二电阻R2之间，NMOS的源极(即输入电极21)连接输入端11，NMOS的漏极(即输出电极22)连接输出端12。

可以理解的是，本发明不对晶体管Q1的种类做出限定。例如，如图3a～3c所示，是本发明另外一些实施中，具有不同类型晶体管的开机电流的抑制器件10的内部结构示意图。其中，除去晶体管的型号种类不同，其他的元件均可以采用如图1和图2所示的元件，因此，相同的部分采用了相同的标号。

示例性的，在如图3a所示的实施例中，晶体管Q2为PNP型三极管，其中，PNP型三极管的基极(即控制电极23)连接至第一电阻R1和第二电阻R2之间，PNP型三极管的发射极(即输入电极21)连接输入端11，PNP型三极管的集电极(即输出电极22)连接输出端12。

在如图3b所示的实施例中，晶体管Q3为P型金属氧化物半导体PMOS，其中，PMOS的栅极(即控制电极23)连接至第一电阻R1和第二电阻R2之间，PMOS的源极(即输入电极21)连接输入端11，PMOS的漏极(即输出电极22)连接输出端12。

在如图3c所示的实施例中，晶体管Q4为NPN型三极管，其中，NPN型三极管的基极(即控制电极23)连接至第一电阻R1和第二电阻R2之间，NPN型三极管的发射极(即输入电极21)连接输入端11，NPN型三极管的集电极(即输出电极22)连接输出端12。

在此基础上，为了进一步提高本发明的一种开机冲击电流的抑制器件的精度和稳定性能，在本发明的一些实施例中，优选地，抑制器件内部还包括与如图2所示的电容C1并联的二极管(图未示)。进一步的，在本发明的一些实施例中，抑制器件的内部还包括串联在电容C1和第二电阻R2之间的第三电阻(图未示)。但是本发明不以此为限。

上述本发明的开机冲击电流的抑制器件10，通过简单的3个外接引脚(即输入端11、输出端12和控制端13)，就可以简单方便的连接在应用电路中，从而对电路的开机冲击电流进行抑制。具体来说，可以通过外部的电源或其他供电电路对于晶体管的控制极电压进行控制，应用该抑制器件内部的晶体管特性而使其处于不同的阻抗变化区域，从而有效的控制该抑制器件所在应用电路在开机时的开机冲击电流。关于该抑制器件的原理和效果将在下文中做出更详细的说明。

本发明的开机冲击电流的抑制器件，克服了传统的开机冲击电流抑制方式的局限性，且采用了简单集成的电路排布方式，以及封装后外接引脚的应用模式，通用性强且可靠性高，可以在各应用电路中对该抑制器件采用集成的方式，从而简单方便的对开机冲击电流进行抑制。

本发明的另一方面提出了一种开机冲击电流的抑制系统，在应用上述的开机冲击电流的抑制器件的基础上，该抑制系统可以对于不同的应用场景中所涉及的电路可以有效的进行开机冲击电流的抑制。

如图4a和4b所示，分别是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制系统41和42的外观示意图。其中，抑制系统41和42之间的区别仅在于抑制器件在系统中的连接位置不同，因此，其他相同的部分采用了相同的标记和标号。

如图4a和4b所示，当应用如图1所示的开机冲击电流的抑制器件10时，抑制系统41和42各自包括电源、后级电路以及如图1所示的抑制器件10，该抑制器件10位于该电源和该后级电路之间。具体来说，抑制器件10的输入端11连接电源，抑制器件的输出端12连接后级电路，抑制器件的控制端13也连接至电源。

具体的，如图4a所示，抑制器件10的输入端11和输出端12连接在电源的输出正极和后级电路的输入正极之间，而抑制器件10的控制端13连接在电源的输出负极和后级电路的输入负极之间。

相比一下，在如图4b所示的实施例中，抑制器件10的输入端11和输出端12连接在电源的输出负极和后级电路的输入负极之间，而抑制器件10的控制端13连接在电源的输出正极和后级电路的输入正极之间。

可以理解的是，当本发明的一种开机冲击电流的抑制系统应用在不同的应用场景中时，可以将抑制器件按照需求接入在正极或负极之间。这可以取决于输入的特性，如交流输入的电子产品，通常会采用负极串接的方式，方便驱动设计。而直流输入的电子产品，比如汽车电子，光伏，通讯类，会采用正极连接方式，原因是负极是系统的参考地，内部所有的部件会通过负极相连，如果抑制器件串接与负极，会被系统部件之间共地旁路短接，而失去开机冲击电流抑制功能。

但是本发明不以上述的连接方式为限，在本发明的一些其他的抑制系统的实施例中，也可以将上述的抑制器件在电源为直流输处时连接在电源的负极输入和后级电路的负极输入之间，同理，在电源为交流输出时将抑制器件连接在电源的正极输出和后级电路的正极输入之间，本发明不对于上述正负极的连接方式做出限制。

进一步的，如图5a和5b所示，分别是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制系统的内部结构示意图。图5a和5b示出了当如图4a和4b所示的抑制系统41和42，分别采用如图2所示的抑制器件10时，其内部结构以及在系统中相应的连接方式。关于该内部结构的具体细节，可以参考上述对于如图1～3c所示的抑制器件的说明，在此不再赘述。并且，可以理解的是，本发明的一种开机冲击电流的抑制系统的内部结构不以如图5a和5b所示的为限，例如，如图5a和5b中的晶体管可以替换为如图3a～3b所示的晶体管Q2～Q4或者其他型号和种类，本发明不对此做出限制。

在如图5a和5b所示的实施例中，通过电源的电压输入，以及抑制器件10的内部结构中各元件的参数配比，可以直接控制晶体管Q1控制极23的电压，从而利用晶体管Q1的特性而使其处于不同的阻抗变化区域，而有效的防止候机电路在开机启动时的冲击电路对于系统造成的损害。

需要说明的是，优选地在如图5b所示的实施例中，抑制器件10的控制端13并未连接至电源，而是连接至外部控制电路，且该外部控制电路可以单独控制控制端13的电压。该连接方式可以作为一个优选的方式，从而将对于抑制器件10中的晶体管Q1的电压控制从系统的电源独立出来，单独对抑制器件10的抑制效果进行控制，以此满足系统协调控制的更高要求。

本发明的另一方面还提出了一种开机冲击电流的抑制方法，可以应用、上述的抑制器件和抑制系统，简单方便的对开机冲击电流进行抑制，并具有可靠性高且通用性强的优势。

如图6所示，是本发明的一种开机冲击电流的抑制方法60的流程示意图。本申请中图6使用了流程图用来说明根据本申请的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或下面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各种步骤。同时，或将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。

如图6所示，抑制方法60包括如下的步骤。

步骤61：提供开机冲击电流的抑制器件，在封装后的抑制器件的外壳上接出输入端、输出端和控制端。

步骤62：将输入端连接至电源，将输出端连接至后级电路，并将控制端连接至电源或外部控制电路。

步骤63：控制控制端的电压，以使抑制器件中的晶体管在开机时依次处于截止关断区、阻抗变化区和通态区。

特别的，在本发明的一些实施例中，在上述步骤62中，当将控制端连接至外部控制电路时，控制控制端的电压包括外部控制电路单独控制控制端的电压，以使晶体管在开机时依次处于截止关断区、阻抗变化区和通态区。示例性的，关于外部控制电路的连接方式，可以参考上述对于抑制系统的说明中如图5b所示的连接方式。

另外，在本发明的一些实施中，在上述步骤62中，当电源为交流输出时，将输入端和输出端分别连接电源和后级电路的负极，而当电源为直流输出的电路时，将输入端和输出端分别连接电源和后级电路的正极。这样的连接方式可以参考上述队对于抑制系统的说明中，如图4a和4b的连接方式。

如图6所示的抑制方法60，可以应用上述的抑制器件和抑制系统来执行其中的各步骤。因此，关于如图6所示的抑制方法60的其他细节，可以参考上述对于本发明的一种抑制器件和抑制系统的说明，在此不再赘述。

为了更好的理解本发明上述的开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法。下面对于本发明在一应用电路中抑制系统应用的仿真效果和实测结果做出简要说明。

如图7所示，是一电路的仿真波形图。该电路没有应用如上述的抑制器件、抑制系统或抑制方法，该电路中只包括了电源(提供24V直流电压环)、受控开关和后级电路。在图7中，AM2为该受控开关的输入电流波形，AM4为该受控开关的输出电流波形，VG2为该受控开关的电压波形。其中VG2＝0V是受控开关关断截止后，VG2＝1V是开关SW10导通后，而VM4为后级电路中电容的电压波形。

从图7所示的仿真波形图中可以看出，当受控开关闭合时，输入电流AM2产生200倍的额定输出电流尖峰，这也是本发明的抑制器件、抑制系统和抑制方法致力于克服的技术问题。

进一步的，如图8所示，是本发明一实施例的一种开机冲击电流的抑制系统的仿真波形图。

在图8中，AM1为输入电流波形，AM3为输出电路波形，VF3为晶体管的控制极电压波形，VG1为开关的电压信号波形，VM1为开关输出端与输入负极的电压波形，VM2为后级电路中电容的电压波形。根据本发明的一种开机冲击电流的抑制系统，控制抑制器件控制端的电压从而控制晶体管控制极的电压，以使得在开机后晶体管依次处于截止关断区、阻抗变化区和通态区(可以参照上述如图6所述的步骤63中的说明、以及上述抑制器件和抑制系统的说明中与晶体管相关的说明)。

从图8中可以看出，通过晶体管的阻抗变化区有效抑制地如图7所示的200倍开机冲击电流，从而实现抑制开机冲击电流的效果。同时，也利用了其通态区的低阻特性来进一步降低正常工作时的通态功耗，并且截止关断区可以通过切断后级电路连接来实现对后级电路的保护功能。

总的来说，本发明上述的开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法，应用了晶体管的阻抗变化区的阻抗特性受控制电路的驱动控制，而与本体温度不相关联。这个特性很好地克服了热敏电阻依赖本体温度才具有高阻特性的缺点，与现有技术相比，可以满足反复开机时的开机冲击电流抑制的要求。

另一方面，晶体管在通态区的低阻特性与本体温度很小，克服了热敏电阻必须在本体温度处于高温下才能满足低阻特性的缺点，从而可以实现不同工作温度条件下降低通态损耗的要求。

在此基础上，本发明的开机冲击电流的抑制器件，其控制端对内部结构中的晶体管进行控制，使其工作在如图8所示的阻抗变化区、截止关断区和通态低阻区。当后级电路出现工作异常或者故障时，可以通过控制端进行关断处理，将后级电路进行切除脱钩，保障系统的安全。

综上所述，本发明的开机冲击电流的抑制器件、抑制系统和抑制方法，采用封装好的具有如图1所示外观的抑制器件，其具有三个外接的引脚可以简单方便的将其连接在电路中，无需复杂的电路元件和电路连接方式，即可以简单方便的实现电路开机冲击电流的抑制。

上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。

同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。

一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。

虽然本申请已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本申请，在没有脱离本申请精神的情况下还可作出各种等效的变化或替换，因此，只要在本申请的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。