适用于电子束检查设备的台架设备

摘要

公开了台架设备，包括：物体支撑件，被配置为支撑物体；定位装置，被配置为定位物体支撑件；第一连接布置，被配置为将物体支撑件连接到定位装置，第一连接布置包括至少一个阻尼连接件；以及第二连接布置，被配置为将物体支撑件连接到定位装置，第二连接布置包括至少一个基本刚性的连接件。

说明书

本申请要求于2018年12月14日提交的EP申请18212802.5的优先权，该申请通过整体引用并入本文。

技术领域

本说明书涉及用于电子束检查设备的台架定位装置，电子束检查设备被配置为检查诸如半导体器件的样本。

背景技术

在半导体工艺中，不可避免地生成缺陷。这种缺陷可能会影响器件性能，甚至导致故障。器件良率可能因此受到影响，导致成本增加。为了控制半导体工艺的良率，缺陷监视很重要。一种用于缺陷监视的工具是SEM(扫描电子显微镜)，SEM使用一个或多个电子束来扫描样本的目标部分。

诸如通过诸如SEM的检查设备所检查的晶片或衬底之类的物体会受到定位误差的影响，特别是会受到动态(例如，振动)定位误差和热定位误差的影响。需要减轻这些定位误差贡献项中的一个，优选地减轻两者。

发明内容

在本发明的第一方面中，提供了台架设备，包括：被配置为支撑物体的物体支撑件；被配置为定位物体支撑件的定位装置；第一连接布置，被配置为将物体支撑件连接到定位装置，第一连接布置包括至少一个阻尼连接件；以及第二连接布置，被配置为将物体支撑件连接到定位装置，第二连接布置包括至少一个基本刚性的连接件。

本发明的其他方面包括具有第一方面的台架设备的粒子束设备、电子束设备、电子束检查设备、光刻设备、测量设备或真空设备，其中在真空设备的情况下，真空设备包括真空室并且台架设备的至少一部分被布置在真空室中。

以下参考附图来详细描述本发明的其他方面、特征和优点，以及本发明的各种实施例的结构和操作。需要注意，本发明不限于本文中描述的特定实施例。这种实施例在本文中仅出于例示目的而呈现。基于本文包含的教导，附加实施例对于相关领域的技术人员将是显而易见的。

附图说明

现在将参考附图、通过示例的方式来描述本发明的实施例，其中：

图1A和图1B是根据本发明的一个实施例的电子束检查工具的示意图；

图2A和图2B是可以应用在本发明的一个实施例中的电子光学系统的示意图；

图3示意性地描绘了EBI系统的可能控制架构；

图4以(a)前视图和(b)平面图示意性地描绘了如目前在检查设备上使用的、包括块和衬底支撑件的台架设备；

图5以(a)前视图和(b)平面图示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的包括块和衬底支撑件的台架设备；以及

图6更详细地示出了图5中描绘的衬底支撑件及其用于连接到块的连接布置。

具体实施方式

现在将参考其中示出本发明的一些示例实施例的附图来更全面地描述本发明的各种示例实施例。在附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度可能被夸大。

本文公开了本发明的详细例示性实施例。然而，本文所公开的具体结构和功能细节仅代表描述本发明的示例实施例的目的。然而，本发明可以以多种备选形式来体现并且不应被解释为仅限于本文中阐述的实施例。

因此，虽然本发明的示例实施例能够进行各种修改和备选形式，但是其实施例在附图中以示例的方式示出并且将在本文中详细描述。然而，应当理解，无意将本发明的示例实施例限制为所公开的特定形式，而是相反，本发明的示例实施例涵盖落入本发明范围内的所有修改、等同物和备选方式。贯穿附图的描述，相同的附图标记指代相同的元素。

如本文所使用的，术语“晶片”通常指代由半导体或非半导体材料形成的衬底。这种半导体或非半导体材料的示例包括但不限于单晶硅、砷化镓和磷化铟。这种衬底通常可以在半导体制造设施中找到和/或处理。

术语“衬底”可以是晶片(如上)或玻璃衬底，并且术语“图案化装置”可以是“掩模版”，其也可以被称为“掩模”。

在本发明中，“轴向”是指“在设备、导柱或诸如透镜的装置的光轴方向上”，而“径向”是指“在垂直于光轴的方向上”。通常，光轴从阴极开始到样本结束。在所有图中，光轴总是指代z轴。

术语交叉指代电子束聚焦的点。

术语虚拟源是指从阴极发射的电子束可以被追溯到“虚拟”源。

根据本发明的检查工具涉及带电粒子源，具体地涉及可以被应用于SEM、电子束检查工具或者EBDW的电子束源。在本领域中，电子束源也可以被称为电子枪(Electron Gun)。

关于附图，需要注意，这些图未按比例绘制。具体地，图中的一些元素的比例可能被极大地夸大来强调元素的特征。还应注意，这些图未按相同比例绘制。已使用相同的附图标记指示了在多于一个的图中示出的可以类似配置的元素。

在附图中，为了清楚起见，可以夸大每个组件以及每个组件之间的相对尺寸。在以下对附图的描述中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的组件或实体，并且仅描述关于各个实施例的不同之处。

因此，虽然本发明的示例实施例能够进行各种修改和备选形式，但是其实施例在附图中以示例的方式示出并且将在本文中详细描述。然而，应当理解，无意将本发明的示例实施例限制为所公开的特定形式，而是相反，本发明的示例实施例涵盖落入本发明范围内的所有修改、等同物和备选方式。

图1A和图1B示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的电子束(e-beam)检查(EBI)系统100的俯视图和截面图。如图所示的实施例包括外壳110、用作接口来接收待检查对象并且输出已检查对象的装载端口对120。如图所示的实施例还包括物体传送系统，被称为EFEM的设备前端模块130，设备前端模块130被配置为将物体搬运和/或运输到装载端口以及从装载端口搬运和/或运输物体。在如图所示的实施例中，EFEM 130包括被配置为在装载端口和EBI系统100的装载锁定件150之间运输物体的搬运机器人140。装载锁定件150是在外壳110外部和EFEM中发生的大气条件以及EBI系统100的真空室160中发生的真空条件之间的界面。在如图所示的实施例中，真空室160包括电子光学系统170，电子光学系统170被配置为将电子束投射到待检查的物体(例如，半导体衬底或晶片)上。EBI系统100还包括定位装置180，定位装置180被配置为将物体190相对于由电子光学系统170生成的电子束移位。在一个实施例中，定位装置180至少被部分地布置在真空室160内。

在一个实施例中，定位装置可以包括多个定位器的级联布置，诸如用于在基本水平的平面中定位物体的X-Y台架和用于在垂直方向上定位物体的Z台架。

在一个实施例中，定位装置可以包括粗略定位器和精细定位器的组合，粗略定位器被配置为在相对大的距离上提供物体的粗略定位，精细定位器被配置为在相对小的距离上提供物体的精细定位。

在一个实施例中，定位装置180还包括用于在EBI系统100执行的检查过程期间保持物体的物体台。在这种实施例中，物体190可以借助夹具(诸如静电夹具或真空夹具)而被夹持在物体台上。这种夹具可以被集成在物体台中。

根据本发明，定位装置180包括用于对物体台进行定位的第一定位器以及用于对第一定位器和物体台进行定位的第二定位器。

在一个实施例中，真空室160包括电磁屏蔽件1001来屏蔽外部电磁影响。这种电磁屏蔽件1001也可以被称为EMI(电磁干扰)屏蔽件。

在一个实施例中，电磁屏蔽件1001被配置为屏蔽检查工具100的检测器免受外部影响。

图2A示意性地描绘了可以应用于根据本发明的电子束检查工具或系统的电子光学系统200的一个实施例。电子光学系统200包括被称为电子枪210的电子束源和成像系统240。

电子枪210包括电子源212、抑制器214、阳极216、孔径集合218和聚束器220。电子源212可以是肖特基发射器。更具体地，电子源212包括陶瓷衬底、两个电极、钨丝和钨针。两个电极被平行固定在陶瓷衬底上，并且两个电极的另一侧被分别连接到钨丝的两个端部。使钨稍微弯曲来形成用于放置钨针的尖端。接着，ZrO2被涂覆在钨针表面上，并且被加热到1300℃，使其熔化并覆盖钨针，但不覆盖钨针的针尖。熔融的ZrO2可以使得钨的功函数降低，并且降低发射电子的能量势垒，并且因此电子束202被有效地发射。然后，通过向抑制器214施加负电，电子束202被抑制。因此，具有大发散角的电子束被抑制为初级电子束202，并且因此电子束202的亮度被增强。电子束202可以通过阳极216的正电荷而被提取，并且然后电子束202的库仑强制力可以通过使用具有不同孔径尺寸的可调孔径218来控制，以消除孔径外部不需要的电子束。为了会聚电子束202，聚束器220被应用于电子束202，聚束器220也提供放大。图2中所示的聚束器220可以是例如能够会聚电子束202的静电透镜。另一方面，聚束器220也可以是磁透镜。

如图2B所示的成像系统240包括消隐器248、孔径集合242、检测器244、四个偏转器集合250、252、254和256、线圈对262、轭260、过滤器246和电极270。电极270被用于延迟和偏转电子束202，并且由于上极片和样本300的组合还具有静电透镜功能。此外，线圈262和轭260被配置到磁物镜。

如上所述的电子束202通过加热电子针并且向阳极216施加电场而生成，使得为了稳定电子束202，必须有很长的时间来加热电子针。对于用户端来说，这肯定是费时且不方便的。因此，消隐器248被应用于经会聚的电子束202来将电子束202暂时偏转远离样本，而不是将其关断。

偏转器250和256被应用于将电子束202扫描到大视场，并且偏转器252和254被用于将电子束202扫描到小视场。所有偏转器250、252、254和256可以控制电子束202的扫描方向。偏转器250、252、254和256可以是静电偏转器或磁偏转器。轭260的开口面向样本300，使得磁场浸入样本300中。另一方面，电极270被置于轭260的开口下方，并且因此样本300不会被损坏。为了校正电子束202的色差，延迟器270、样本300和上极片形成透镜来消除电子束202的色差。

此外，当电子束202轰击到样本300中时，次级电子将从样本300的表面发出。接下来，次级电子被过滤器246被定向至检测器244。

图3示意性地描绘了EBI系统300的可能控制架构。如图1所示，EBI系统包括加载端口120、物体传送系统130、装载/锁定件150、电子光学系统170和定位装置180，定位装置180例如包括z-台架302和xy台架305。如图所示，EBI系统的这些各种组件可以被配备有相应的控制器，即，连接到物体传送系统130的物体传送系统控制器310、装载/锁定控制器315、台架控制器320、检测器控制器320(用于控制检测器244)和电子光学控制器325。这些控制器可以例如经由通信总线345，例如被通信地连接到系统控制器计算机335和图像处理计算机340。在所示的实施例中，系统控制器计算机335和图像处理计算机340可以被连接到工作站350。

装载端口120将物体190(例如，晶片)装载到物体传送系统130，并且物体传送系统控制器310控制物体传送系统130将物体190传送到装载/锁定件150。装载/锁定控制器315将装载/锁定件150控制到室160，使得待检查的物体190可以被固定在夹具355(例如，静电夹具，也被称为电子卡盘)上。定位装置(例如，z-台架302和xy-台架305)使得物体190能够在台架控制器330的控制下移动。在一个实施例中，z-台架302的高度可以例如使用压电组件(诸如压电致动器)进行调整。电子光学控制器325可以控制电子光学系统170的所有状况，并且检测器控制器320可以接收来自电子光学系统(检测器244)的电信号并将其转换成图像信号。系统控制器计算机335可操作为将命令发送到对应控制器。在接收图像信号之后，图像处理计算机340可以处理图像信号来标识缺陷。

在如上所述的光刻装置、量测装置和检查装置中，物体(诸如使用图案化的射束已被曝光其上结构的衬底或晶片，或者用于将光刻设备中的射束图案化的掩模版(或掩模))使用台架设备来精确定位。这种台架设备可以包括用于定位物体支撑件的短行程台架并且还包括用于定位短行程台架和物体支撑件的长行程台架，其中本文所公开的连接布置被配置为将物体支撑件至少部分地连接到短行程台架。短行程台架有时被称为块或反射镜块(因为它可以包括在其表面上的一个或多个反射镜来实现干涉式位置测量(IFM))。

在整个描述中，术语定位装置将被使用，并且可以被理解为描述任何这种组件，或者用于对衬底支撑件进行定位的任何其他等效台架组件(例如，作为用于对晶片进行定位的晶片台架的一部分)。定位装置支撑衬底支撑件，衬底支撑件有时被称为衬底台/晶片台、卡盘，或者更具体地，当衬底被静电保持/夹持到衬底支撑件上时，被称为电子卡盘。在整个描述中，术语衬底支撑件将被使用并且可以被理解为描述任何这种组件，或者用于支撑衬底的任何其他等效台架组件。此外，术语台架设备将被用于描述至少定位装置和衬底支撑件与将它们连接在一起的连接布置、以及可能形成台架装置的一部分的任何其他组件(例如，电机、测量装置、夹持组件等)的组合。台架设备可以是掩模版台架装置或晶片台架装置。

台架设备可以包括用于在三个正交线性轴和三个正交旋转轴上精确定位衬底支撑件的定位装置。例如，衬底可以使用静电力而被夹持在衬底支撑件上，但是也可以使用其他保持/夹持方法。定位装置例如通过将衬底支撑件刚性地安装在定位装置上来支撑衬底支撑件。定位装置(例如，反射镜块)可以被提供有作为干涉仪系统的一部分的反射镜，干涉仪系统被用于至少部分地确定衬底相对于检查设备的其他部分的位置。

然而，这种台架设备的缺点是衬底支撑件可能例如由于检查期间的加热(例如，由于检查束辐射或台架致动器热负荷)而变形。衬底支撑件的变形可能被转移到定位装置上，从而使其变形，从而导致热误差。例如，衬底支撑件的变形会影响使用定位装置上的反射镜执行的干涉测量的准确度，这进而影响将衬底相对于辐射束(例如，电子束)定位的准确度。此外，热误差可能由衬底支撑件和定位装置(例如，短行程和/或精细定位台架)之间的热膨胀系数差引起。当台架设备形成检查装置或量测装置(诸如，SEM装置)的一部分时，这种热误差会导致图像在时间和位置上的漂移高达约200nm或者更多(与应用相关)，这可能比所需准确度高两个数量级(例如，图像漂移应被维持在10nm以下)。

台架定位不准确的另一重要因素源于动态误差。例如，动态误差可能由系统振动引起，诸如由台架设备的定位引起的系统振动。由于台架设备的高速定位以及由此的高加速度，衬底支撑件在定位动作期间(例如，在检查、测量或图案化过程期间)振动。具体地，垂直(高频)振动模式可以被这种动作激发，这种动作通常是无阻尼的且不可测量。就检查装置或量测装置而言，这种动态误差可能导致局部XY图像偏移误差高达约5nm或更多；这些误差应被维持在例如1nm以下。

已观察到，定位装置和衬底支撑件之间的连接对定位准确度有很大影响。图4(a)和图4(b)分别示出了典型台架设备470的前视图和平面图。它示出了安装在定位装置474上的衬底支撑件472。举例来说，台架设备可以包括用于检查装置的晶片台架设备，衬底支撑件472包括电子卡盘并且定位装置474包括反射镜块。衬底支撑件472通过刚性机械连接件476而被连接到定位装置474，刚性机械连接件476在该示例中为三个这种刚性机械连接件476，以在没有变形和迟滞的情况下，允许高加速度。然而，这些刚性机械连接件476意味着上述热变形和动态振动倾向于从衬底支撑件472被直接传输到定位装置474和/或从定位装置474被直接传输到衬底支撑件472。

图5(a)和图5(b)分别示出解决了引起的热和振动问题的台架设备570的前视图和平面图。再一次，台架设备570包括安装在定位装置574上的衬底支撑件572，衬底支撑件572和定位装置574基本上类似于衬底支撑件472和定位装置474。然而，台架设备570具有连接布置，连接布置具有至少一个阻尼连接件。更具体地，在该实施例中，连接布置包括衬底支撑件572和定位装置574之间的连接件580、582，连接件580、582已被优化为减轻热和振动效应。图6(a)以改进的细节示出了相同布置(未示出定位装置)的截面。

连接件580、582包括刚性机械连接件580。该图示出了单个刚性机械连接件580。然而，在另一实施例中，多个刚性连接件(或者在本文中也被称为刚性连接件)也是可能的。在提供多个刚性连接件的情况下，阻尼连接件582有助于抑制振动。

在所示示例中，(单个)刚性机械连接件580可以位于衬底支撑件572的中心处。更具体地，刚性机械连接件580可以位于几何中心或重心处。可以理解，在仅存在单个刚性连接件的情况下，刚性连接件的位置变为衬底支撑件572的热变形中心，在热变形中心处，衬底支撑件572在单个刚性连接件处的热位移基本为零并且衬底支撑件572由于热变形而围绕单个刚性连接件膨胀或收缩。

连接件580、582还包括阻尼连接件582，阻尼连接件582的界面具有用以提供阻尼连接的阻尼材料584。阻尼材料可以是任何合适的材料，诸如例如合适的塑料或橡胶材料。在所示的具体示例中，存在四个(例如，均匀间隔)阻尼连接件582。然而，阻尼连接件的数目以及它们在衬底支撑件572上的布置可以变化。图6(b)示出了具有阻尼材料584的阻尼连接件582之一的细节。

阻尼材料584用于抑制衬底支撑件572的振动，以减轻它们传递到定位装置574以及对定位装置574的影响。更具体地，阻尼连接件582使得在振动频率(通常介于100-5000Hz之间)处，阻尼材料包括抑制(例如，垂直)振型的损耗因子和/或阻尼比。附加地，阻尼材料应具有低刚度，即，在低频(例如，小于10Hz或小于1Hz)下具有低杨氏模量。这确保连接件是低频顺应的，以允许衬底支撑件572在不使定位装置574变形的情况下变形。这将衬底支撑件572的热变形与定位装置574解耦(避免过度约束)。

因此，选择合适的阻尼材料应包括标识如下材料：在较高频率(例如，在大约100Hz或者在大约1000Hz或者更高)下具有高损耗因数，并且还在低频率(例如，小于1Hz或10Hz)下具有低杨氏模量。例如，阻尼材料可以具有大于0.2、大于1、大于1.2或者在1.4范围内(至少在特定频率范围内，其中特定频率范围在100Hz和10kHz之间的另一频率范围内，例如，等于或大约1100Hz或更高)的损耗因数。阻尼材料还可以包括在0.1Hz、1Hz和/或10Hz(例如，在1Hz下)的数量级的频率下，低于1GPa、低于0.1GPa、或更优选地低于0.01GPa的杨氏模量。

进一步的实施例可以在以下条款中描述：

1.一种台架设备，包括：

物体支撑件，被配置为支撑物体；

定位装置，被配置为定位物体支撑件；

第一连接布置，被配置为将物体支撑件连接到定位装置，第一连接布置包括至少一个阻尼连接件；以及

第二连接布置，被配置为将物体支撑件连接到定位装置，第二连接布置包括至少一个基本刚性的连接件。

2.根据条款1所述的台架设备，其中所述第二连接布置包括仅一个基本刚性的连接件。

3.根据条款2所述的台架设备，其中仅所述一个基本刚性的连接件位于所述物体支撑件的几何中心或重心处。

4.根据前述条款中任一项所述的台架设备，其中所述至少一个阻尼连接件包括多个阻尼连接件。

5.根据条款4所述的台架设备，其中所述多个阻尼连接件包括三个或四个阻尼连接件。

6.根据前述条款中任一项所述的台架设备，其中所述至少一个阻尼连接件被配置为至少抑制物体支撑件的振动。

7.根据条款6所述的台架设备，其中所述至少一个阻尼连接件被配置为至少对物体支撑件的至少一个感兴趣的垂直振动模式进行阻尼。

8.根据前述条款中任一项所述的台架设备，其中所述至少一个阻尼连接件包括阻尼材料。

9.根据条款8所述的台架设备，其中阻尼材料包括橡胶。

10.根据条款8或9所述的台架设备，其中阻尼材料在高于100Hz的频率处具有高损耗因数。

11.根据条款8至10中任一项所述的台架设备，其中阻尼材料至少在特定频率范围内具有大于0.2的损耗因数，其中特定频率范围在100Hz和10kHz之间的另一频率范围内。

12.根据条款8至10中任一项的台架设备，其中阻尼材料至少在特定频率范围内具有大于1的损耗因数，其中特定频率范围在100Hz和10kHz之间的另一频率范围内。

13.根据条款8至10中任一项所述的台架设备，其中阻尼材料至少在特定频率范围内具有大于1.2的损耗因数，其中特定频率范围在100Hz和10kHz之间的另一频率范围内。

14.根据条款8至13中任一项所述的台架设备，其中阻尼材料在低于1Hz或低于10Hz的频率处具有低刚度。

15.根据条款14所述的台架设备，其中阻尼材料在低于1Hz或低于10Hz的频率下具有低于1GPa的杨氏模量。

16.根据条款14所述的台架设备，其中阻尼材料在低于1Hz或低于10Hz的频率下具有低于0.1GPa的杨氏模量。

17.根据条款14所述的台架设备，其中阻尼材料在低于1Hz或低于10Hz的频率下具有低于0.01GPa的杨氏模量。

18.根据前述条款中任一项所述的台架设备，其中所述物体支撑件包括静电夹具和/或真空夹具。

19.根据前述条款中任一项所述的台架设备，其中所述定位装置包括用以定位物体支撑件的短行程台架，并且包括用以定位短行程台架和物体支撑件的长行程台架，并且其中所述第一连接布置和所述第二连接布置被配置为将物体支撑件至少部分地连接到短行程台架。

20.根据前述条款中任一项所述的台架设备，其中物体是衬底或者图案化装置。

21.根据前述条款中任一项所述的台架设备，其中定位装置被配置为以小于1000nm的定位误差来控制物体支撑件的位置。

22.根据条款1至20中任一项所述的台架设备，其中定位装置被配置为以小于100nm或小于10nm的定位误差，控制物体支撑件的位置。

23.根据条款1至20中任一项所述的台架设备，其中定位装置被配置为以小于1nm或小于0.1nm的定位误差，控制物体支撑件的位置。

24.一种量测设备，包括根据前述条款中任一项所述的用于保持和定位物体的台架设备。

25.根据条款24所述的量测设备，包括扫描电子显微镜检查设备，扫描电子显微镜检查设备可操作为对由所述物体支撑件保持的物体上的一个或多个特征进行成像。

26.一种光刻设备，包括根据条款1至24中任一项所述的用于保持和定位物体的台架设备。

27.一种设备，包括根据条款1至23中任一项所述的用于保持和定位物体的台架设备，

其中设备是粒子束设备、电子束设备、电子束检测设备、光刻设备、量测设备。

28.一种设备，包括根据条款1至23所述的用于保持和定位物体的台架设备，

其中设备是包括真空室的真空设备，并且台架设备的至少一部分被布置在真空室中。

总而言之，阻尼连接件与刚性中心连接件的组合导致衬底支撑件与定位装置的刚性水平连接，从而使得：在没有变形和迟滞的情况下，允许高加速度；对感兴趣的(例如，垂直)衬底支撑件振动模式进行抑制；在衬底支撑件稳定和热解耦之后，使系统相对于定位装置更加准确。通过添加阻尼，整个台架设备的(伺服)控制变得更简单，从而使得系统更加稳健和准确；附加地，(伺服)控制对动态变化不那么灵敏。定位装置例如可以被配置为以小于0.1nm、1nm、10nm、100nm或1000nm的定位误差来控制物体支撑件的位置。

本文所公开的台架设备在例如粒子束设备、电子束设备、电子束检查设备、量测设备(包括散射仪设备)、真空设备、掩模版检查工具或光刻设备中具有应用。在一些示例中，物体可以是掩模版(或掩模)，而不是衬底(用于在光刻设备中将射束图案化)，台架设备因此是掩模版台架。

与光刻设备相关使用的术语“辐射”和“射束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有大约365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有5nm-20nm范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束。

在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以指代各种类型的光学组件(包括折射型、反射型、磁性、电磁型和静电型光学组件)中的任一个或组合。

特定实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的整体性质，以至于其他人可以在无需过度实验的情况下，在不脱离本发明的整体概念的情况下，通过应用本领域技术内的知识而容易地修改和/或适配诸如特定实施例的各种应用。因此，基于本文中呈现的教导和指导，这种适配和修改旨在处于所公开的实施例的等效物的含义和范围内。应当理解，本文中的措辞或术语是为了通过示例进行描述而非限制，使得本说明书的术语或措辞将由本领域技术人员根据教导和指导来解释。

本发明的广度和范围不应受上述示例性实施例中的任一个限制，而应仅根据所附权利要求及其等效物来限定。