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低噪声探测器及其像元以及降低非制冷探测器噪声的方法

摘要

本发明涉及一种低噪声探测器像元及采用该像元的非制冷探测器,该像元包括衬底和有效元,有效元包括桥面层,桥面层包括自上而下层设的顶面吸收层和多层热敏感层,相邻两层热敏感层之间通过绝缘层分隔,各热敏感层联接形成有效元电阻结构,有效元电阻结构的阻值与有效元设计阻值匹配。另外还涉及一种降低非制冷探测器噪声的方法,包括:对非制冷探测器的至少部分像元进行降噪处理,对像元的降噪处理包括增大其有效元的敏感材料电阻有效面积;和/或,增大盲元的敏感材料电阻有效面积,以对盲元进行降噪处理。本发明通过增加热敏感层数量,在满足探测器设计要求的前提下,可以增大有效元的敏感材料电阻有效面积,达到对像元和探测器降噪的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN113252184A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉高芯科技有限公司;

    申请/专利号CN202110339272.4

  • 申请日2021-03-30

  • 分类号G01J5/08(20060101);

  • 代理机构11228 北京汇泽知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡建文

  • 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼

  • 入库时间 2023-06-19 12:13:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-18

    授权

    发明专利权授予

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