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微透镜阵列的制作方法及图像传感器的制作方法

摘要

本发明提供一种微透镜阵列的制作方法和一种图像传感器的制作方法。所述微透镜阵列的制作方法包括:提供表面上形成有第一介质层的半导体基底;在第一介质层上形成阵列分布的多个掩模单元;以掩模单元为掩模,刻蚀第一介质层直至露出半导体基底表面,形成多个凸块,并去除掩模单元,其中,凸块通过间断性地执行两次以上的干法刻蚀工艺刻蚀第一介质层获得,在间断期间内,进行掩模图形重塑,以缩小各个掩模单元的覆盖面;以及在半导体基底上形成第二介质层,获得微透镜阵列。利用该微透镜阵列的制作方法,可以灵活调整微透镜侧面与基底表面之间的夹角,且微透镜的轮廓较为圆滑。所述图像传感器的制作方法包括上述微透镜阵列的制作方法。

著录项

  • 公开/公告号CN113257665A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广州粤芯半导体技术有限公司;

    申请/专利号CN202110524317.5

  • 发明设计人 朱业明;赵伟国;

    申请日2021-05-13

  • 分类号H01L21/033(20060101);H01L27/146(20060101);

  • 代理机构31295 上海思捷知识产权代理有限公司;

  • 代理人王宏婧

  • 地址 510000 广东省广州市中新广州知识城九佛建设路333号自编701室(自主申报)

  • 入库时间 2023-06-19 12:13:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-11

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/033 专利申请号:2021105243175 变更事项:申请人 变更前:广州粤芯半导体技术有限公司 变更后:粤芯半导体技术股份有限公司 变更事项:地址 变更前:510000 广东省广州市中新广州知识城九佛建设路333号自编701室(自主申报) 变更后:510000 广东省广州市中新广州知识城九佛建设路333号自编701室(自主申报)

    著录事项变更

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