负载Ni3Fe@C纳米胶囊且具有N掺杂缺陷的多层石墨片层结构

摘要

本发明的目的是提供一种负载Ni3Fe@C纳米胶囊且具有N掺杂缺陷的多层石墨片层结构及其制备方法，采用高温等离子体电弧蒸发技术制备，高纯石墨棒作为阴极，高纯Fe粉、高纯Ni粉和高纯石墨粉混合块体作为阳极，待电弧炉抽真空后，充入乙腈或乙腈和N2，在等离子体电弧放电结束后，收集反应腔体内壁沉积物即得在大薄片层的褶皱的N掺杂纳米片层石墨上均匀分散Ni3Fe@C纳米胶囊复合物。本发明利用简单无害的、不需任何反应气体的高温等离子体电弧蒸发方法可大量制备此类产品，N元素的掺杂，使得纳米片层石墨变得无序，充满大量缺陷，诱导纳米片层石墨产生新性能，连同Ni3Fe@C软磁相形成好的电磁匹配，从而可在吸波、防腐等诸多领域广泛应用。