公开/公告号CN113235143A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆大学;重庆大学产业技术研究院;
申请/专利号CN202110498251.7
申请日2021-05-08
分类号C25D9/04(20060101);C25D5/08(20060101);C25D5/04(20060101);C25D7/06(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构50240 重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙);
代理人谭春艳
地址 400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
入库时间 2023-06-19 12:11:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-15
授权
发明专利权授予
机译: 在金属氧化物基质上制备纳米结构的方法,在这种基质上沉积薄层的方法以及薄层的沉积
机译: 在金属氧化物基质上制备纳米结构的方法,在这种基质上沉积薄层的方法以及薄层的沉积
机译: 在金属氧化物的基材上生产纳米结构的方法,在基材上沉积薄层的方法以及薄层形式的装置