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一种基于脉冲激光直写技术的高密度热电厚膜器件设计及制备方法

摘要

本发明涉及一种基于脉冲激光直写技术的高密度热电厚膜器件设计及制法。在金属化衬底上,沉积交替排列的高长宽比矩形n、p型热电材料,采用脉冲激光直写技术分别对衬底上金属电极与热电材料图案化加工,并通过在特定区域制备支撑层和上电极得到完整热电器件;本发明首次将超快脉冲激光直写技术应用于热电厚膜器件加工中,可实现微米级热电堆阵列结构加工,有效提升器件集成度和输出性能。结合本发明提出的器件边缘电极“L”形结构设计,同类型热电堆可实现整列相邻排列,不同图案热电堆与电极多层结构激光直写加工具有高适配性,有效实现原位一体化集成加工;本发明所述器件集成方法各工艺环节兼容性强,可控高效,具有大规模低成本生产的潜力。

著录项

  • 公开/公告号CN113241399A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN202110505375.3

  • 发明设计人 祝薇;周杰;邓元;于跃东;胡少雄;

    申请日2021-05-10

  • 分类号H01L35/34(20060101);H01L35/32(20060101);

  • 代理机构11721 北京中慧创科知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人由元

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2023-06-19 12:10:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-26

    授权

    发明专利权授予

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