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公开/公告号CN113224780A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆大学;
申请/专利号CN202110310804.1
发明设计人 周念成;张渝;王强钢;廖建权;
申请日2021-03-23
分类号H02J3/36(20060101);H02J1/08(20060101);
代理机构50212 重庆博凯知识产权代理有限公司;
代理人周玉玲
地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
入库时间 2023-06-19 12:07:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-14
授权
发明专利权授予
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 一种使用双极电极减轻压力和疼痛的设备,该火花的放电可在压电源的强度下调节,该双极电极的一个极与皮肤直接接触,另一个与皮肤隔开
机译: 集成线性化器的硅功率双极结型晶体管
机译:一种用于直流配电网的分布式能源访问的潮流优化方法一种用于直流配电网的分布式能量访问的潮流优化方法一种用于直流配电网的分布式能量访问的潮流优化方法
机译:数据驱动潮流线性化:一种回归方法
机译:一种简单有效的径向配电网潮流计算方法
机译:使用潮流控制器的双极直流配电网中的不平衡电压/功率控制
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:剩余双极联轴器预测计算方法的改进与分析
机译:一种基于双二极管的线性化器的新型线性化技术,用于轻量级功率放大器
机译:具有约1微米接触间距的双端微电化学二极管。一种基于溶液氧化还原对和一个电极限制氧化还原对的装置