首页> 中国专利> 一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法

一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法

摘要

本发明涉及一种真空等离子体氧轰击钛靶材在填料表面生长纳米二氧化钛光触媒的方法,本发明以纯钛为靶材,采用等离子体真空溅射工艺,在纯氧环境中,直接从填料表面生长出纳米级别的二氧化钛光触媒催化剂。本发明可在填料表面生成均匀的纳米二氧化钛薄膜,结合牢固,催化活性高,使用效果稳定性能优良,可有效解决光催化氧化效率低,稳定性能差的难题。

著录项

  • 公开/公告号CN113198442A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 齐鲁工业大学;

    申请/专利号CN202110590294.8

  • 发明设计人 杨云军;

    申请日2021-05-28

  • 分类号B01J21/06(20060101);B01J37/34(20060101);

  • 代理机构37306 济南格源知识产权代理有限公司;

  • 代理人韩洪淼

  • 地址 250307 山东省济南市长清区中建长清湖63号公寓1418室

  • 入库时间 2023-06-19 12:05:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B01J21/06 专利申请号:2021105902948 申请公布日:20210803

    发明专利申请公布后的驳回

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号