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公开/公告号CN113193120A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;晶澳太阳能有限公司;
申请/专利号CN202110367174.1
发明设计人 刘明侦;周军;王松;许志卫;严金梅;张建军;李发明;
申请日2021-04-06
分类号H01L51/46(20060101);H01L51/42(20060101);H01L51/48(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人吴姗霖
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 12:02:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-15
授权
发明专利权授予
机译: 钙钛矿型氧化物薄膜的原料制备方法,钙钛矿型氧化物薄膜和钙钛矿型氧化物薄膜的制备方法
机译: 钙钛矿薄膜及其制备方法,钙钛矿电致发光器件及其制备方法,以及显示装置
机译:锂掺杂亚铬酸镧钙钛矿的烧结特性和热膨胀行为取决于制备方法和Sr掺杂
机译:一种部位掺杂对钙钛矿薄膜结晶的影响
机译:BaZrO_3,BaSnO_3和BaGeO_3的致密Y掺杂离子导电钙钛矿薄膜,用于在室温下通过粉末气溶胶沉积生产的SOFC应用
机译:使用微波脉冲辐照在有机 - 无机杂交钙钛矿多晶薄膜形成中通过低温制备方法减少缺陷
机译:太阳能电池用PMMA掺杂铯的钙钛矿薄膜的热稳定性得到改善
机译:基于高PbI2掺杂钙钛矿薄膜的高性能光敏电阻
机译:有机金属卤化物钙钛矿薄膜的制备方法与结构形态的相关性
机译:用于非制冷红外探测器应用的新型低温工艺生长的钙钛矿薄膜的表征