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具有制造变化敏感传输阻挡区的光纤耦合器结构

摘要

本发明涉及具有制造变化敏感传输阻挡区的光纤耦合器结构。光学耦合器结构具有位于衬底上的绝缘体层,位于该绝缘体层中的波导结构,以及位于该波导结构及该绝缘体层上的包覆层。光栅耦合器位于该包覆层上,且该波导结构连接于该光栅耦合器之间。该波导结构在该光栅耦合器之间是不连续的。该绝缘体层包括位于该波导结构的不连续区段之间的传输阻挡区处的阵列。此阵列可为由开口构成的空洞开口阵列,或者可为由位于该绝缘体层中的分离元件构成的阻挡元件阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN113126212A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格芯(美国)集成电路科技有限公司;

    申请/专利号CN202011470517.9

  • 发明设计人 彭博;A·P·雅各布;卞宇生;

    申请日2020-12-14

  • 分类号G02B6/293(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 11:52:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-29

    授权

    发明专利权授予

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