公开/公告号CN113126212A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 格芯(美国)集成电路科技有限公司;
申请/专利号CN202011470517.9
申请日2020-12-14
分类号G02B6/293(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 11:52:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-29
授权
发明专利权授予
机译: 具有制造变形敏感传输阻塞区域的光纤耦合器结构
机译: 具有漏穿通阻挡区的金属氧化物半导体晶体管以及制造具有漏穿通阻挡区的金属氧化物半导体晶体管的方法
机译: 具有漏穿通阻挡区的金属氧化物半导体晶体管以及制造具有漏穿通阻挡区的金属氧化物半导体晶体管的方法