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一种基于高纵横比波导的二维材料电光调制器

摘要

本发明公开发明了基于高纵横比波导的二维材料电光调制器。自下而上依次包括衬底层、硅光波导、电介质填充层、第一二维材料层、第二二维材料层,还包括第一金属层、第二金属层。第一金属层与第二金属层分别沉积在第一二维材料层上方靠右侧和第二二维材料层上方靠左侧。第一二维材料层与第二二维材料层仅在硅光波导上方重叠,以增强二维材料与光的相互作用,用来提高调制效率和速率。硅光波导使用波导宽度远超厚度的高纵横比几何结构,通过遏制侧壁色散使平面波导损耗最小化,并在对二维材料的耦合效果以及相位调制幅度等方面较传统二维材料调制器有极大提高。

著录项

  • 公开/公告号CN113093408A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN202110382361.7

  • 申请日2021-04-09

  • 分类号G02F1/025(20060101);

  • 代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人吴旭

  • 地址 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

  • 入库时间 2023-06-19 11:45:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-07-25

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02F 1/025 专利申请号:2021103823617 申请公布日:20210709

    发明专利申请公布后的驳回

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