一种实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器

摘要

本发明公开了一种实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器，其包括固持件、埋设成型在所述固持件内的若干PIN针端子，所述PIN针端子包括满足SIM卡与Nano SD卡通信需求的八个第一PIN端子，所述八个第一PIN端子形成有与SIM卡或Nano SD卡对应触点连接的第一组接触点、第二组接触点，所述第一组接触点与所述第二组接触点相对分布，所述PIN针端子还包括满足高速传输的高速PIN端子组，所述高速PIN端子组中有3～8个第二PIN端子，所述高速PIN端子组形成有第三组接触点。本发明能够同时兼容SIM卡与Nano SD卡，并可实现高速传输，满足Nano SD2.0协议通信需求，大大的提高了手机卡座的通用性，更加满足市场需求。

说明书

【技术领域】

本发明属于卡座技术领域，特别是涉及一种实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器。

【背景技术】

随着互联网迅猛发展，手机等移动网络终端设备也得到了飞速的发展。目前，手机基本已成为绝大多数人们生活的必备品，并且形成了一种手机不离身的现象，可见手机对人们生活的影响越来越大。随着需求量的增大，人们的个性化要求也逐渐多元化，轻薄化、曲线化、轻质化已成为手机更新换代方向的主流，而现有的SIM卡的形式又有多种，最初用于承载SIM卡的卡座布置的是6pin，随着技术的发展和市场的需求，具有存储功能的通信卡Nano SD卡应用更加普遍，继而，卡座的结构由原来的6pin增加为8pin，满足Nano SD1.0协议需求。随着5G通信的发展与普及，实现高速传输已经成为满足人们通讯需求的必要条件了，行业内也提出了Nano SD2.0协议，但现有技术中的卡座结构，还没有能够满足NanoSD2.0协议的通信需求。

因此，需要提供一种新的实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器来解决上述问题。

【发明内容】

本发明的主要目的在于提供一种实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器，能够同时兼容SIM卡与Nano SD卡，并可实现高速传输，满足Nano SD2.0协议通信需求，大大的提高了手机卡座的通用性，更加满足市场需求。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器，其包括固持件、埋设成型在所述固持件内的若干PIN针端子，所述PIN针端子包括满足SIM卡与Nano SD卡通信需求的八个第一PIN端子，所述八个第一PIN端子形成有与SIM卡或Nano SD卡对应触点连接的第一组接触点、第二组接触点，所述第一组接触点与所述第二组接触点相对分布，所述PIN针端子还包括满足高速传输的高速PIN端子组，所述高速PIN端子组中有3～8个第二PIN端子，所述高速PIN端子组形成有第三组接触点。

进一步的，所述第三组接触点全部位于所述第一组接触点与所述第二组接触点之间；或

部分接触点位于所述第一组接触点与所述第二组接触点之间、部分接触点位于所述第一组接触点或所述第二组接触点一旁。

进一步的，所述第三组接触点与所述第一组接触点、所述第二组接触点位于所述固持件的同一侧表面上方；或

所述第一组接触点与所述第二组接触点位于所述固持件的同一侧表面上方，所述第三组接触点位于所述固持件的另一侧表面下方。

进一步的，八个所述第一PIN端子呈四对并排设置在所述固持件上，每一对中的两个第一PIN端子相对分布；所有的所述第二PIN端子相对交错设置在所述八个第一PIN端子之间。

进一步的，所述第二PIN端子设置有五个。

进一步的，所述第二PIN端子的中部设置有一在其受到下压后与PCB板发生干涉的干涉支撑部。

进一步的，所述固持件为一体成型的塑胶件结构。

进一步的，所述固持件上设置有与所述PIN针端子一一对应的端子隔离槽，所述PIN针端子的尾部埋设在所述固持件的本体内，其弹片部容置于所述端子隔离槽内且通过所述端子隔离槽进行隔离。

进一步的，所述端子隔离槽内设置有与所述第一PIN端子、所述第二PIN端子的头部一一对应的且将端子头部向下压制的端子头部下压部。

进一步的，所述端子隔离槽内形成有被所述端子头部下压部隔离而成的镂空槽，为所述PIN针端子的头部的伸缩运动提供了活动空间。

与现有技术相比，本发明一种实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器的有益效果在于：在原有的8pin结构卡座的基础上新增了多个PIN针端子，在满足SIM卡与Nano SD卡兼容的同时，满足了高速传输需求，为实现Nano SD2.0协议提供了条件，且提高了手机卡座的通用性；巧妙的设计新增pin的位置分布，节省空间；原有的8pin分为四对相对分布在固持件的两边，新增的pin采用相对交错方式分布在原有的四对第一PIN端子之间，且采用长PIN端子结构，使得新增的pin的接触点分布在固持件的中间，即满足了SIM卡与Nano SD卡的兼容需求，又没有增大原有卡座的尺寸大小，避免了手机其他结构的改变，大大的降低了研发成本。

【附图说明】

图1为本发明实施例的立体结构示意图；

图2为本发明实施例中固持件的俯视结构示意图；

图3为本发明实施例与通讯卡片的接触点分布结构示意图之一；

图4为本发明实施例与通讯卡片的接触点分布结构示意图之二；

图5为本发明实施例与通讯卡片的接触点分布结构示意图之三；

图6为本发明实施例与通讯卡片的接触点分布结构示意图之四；

图中数字表示：

100实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器；

1第一PIN端子组，11第一PIN端子，12第一组接触点，13第二组接触点；2第二PIN端子，21第三组接触点；3固持件，31端子头部下压部，32镂空槽；37塑胶板，38端子隔离槽；4连接点。

【具体实施方式】

实施例一：

请参照图1-图2，本实施例为实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器100，其包括固持件3、埋设成型在所述固持件3内的若干PIN针端子，所述PIN针端子包括满足SIM卡与Nano SD卡通信需求第一PIN端子组1与满足高速传输的高速PIN端子组，第一PIN端子组1包括八个第一PIN端子11，所述八个第一PIN端子11形成有与SIM卡或Nano SD卡对应触点连接的第一组接触点12、第二组接触点13，所述第一组接触点12与所述第二组接触点14相对分布，所述高速PIN端子组中有3～8个第二PIN端子2，所述高速PIN端子组形成有第三组接触点21。

本实施例中，第二PIN端子2设置有五个，在其他实施例中，也可以设置3个、4个、6个、7个或者8个。

本实施例中，所述第三组接触点21全部位于所述第一组接触点12与所述第二组接触点13之间，且位于固持件3的中部，如图3所示。在其他实施例中，第三组接触点21可部分设置在第一组接触点12与第二组接触点13之间、部分设置在第一组接触点12或第二组接触点13一旁，如图4所示，其可通过新增端子接触区域，或在原有的8pin端子的接触区域范围，将其中一个或多个pin针的接触区域一分为二，划分出来的新增区域可作为第二PIN端子2的接触区域。

本实施例中，第三组接触点21与第一组接触点12、第二组接触点13位于固持件3的同一侧表面上方，如图3所示，在其他实施例中，第一组接触点12与第二组接触点13位于固持件3的A面，第三组接触点21可以设置在固持件3的B面，且第三组接触点21在固持件3上B面的分布形式不限，如图5-6所示。

第二PIN端子2中部设置有一在其受到下压后与PCB板发生干涉的干涉支撑部(图中未标示)，通过第二PIN端子2中部与PCB板的干涉抵持力，使得对应的接触点与对应的卡片的接触力更大，提高与卡片接触的可靠性。

固持件3包括塑胶板37、开设在塑胶板37上的若干端子隔离槽38。每一个端子隔离槽38内收纳有一个第一PIN端子11或一个第二PIN端子2。端子隔离槽38内设置有与第一PIN端子11、第二PIN端子2的头部一一对应的且向下压制的端子头部下压部31，所有的第一PIN端子11和第二PIN端子2的尾部埋设固定在固持件3边缘塑胶体内，头部被端子头部下压部31的下表面向下压制。端子隔离槽38内形成有被端子头部下压部31分隔而成的镂空槽32，第一PIN端子11、第二PIN端子2在对应的接触点受到下压后，镂空槽32为端子头部的伸缩向前运动提供了运动空间。

端子头部下压部31为一凹槽，所述第一PIN端子11、所述第二PIN端子2的头部可伸缩的穿过所述凹槽，使得对应的端子头部的两侧的自由度被限制。

所有的第二PIN端子2与第一PIN端子11的尾部均伸出固持件3外侧表面，形成对应的连接点4。本实施例中，对13个pin端子进行定义，如图2所示，上排的PIN端子分别记作P1～P7，下排的PIN端子分别记作P8～P13，其定义如表1所示。

表1

当插入SD卡时为SD模式，当插入SIM卡时为SIM模式，SD模式与SIM模式下的PIN针含义如表2所示。

表2

本实施例中的固持件3为一次molding成型的塑胶件结构。

本实施例中所述的一种实现Nano SD 2.0高速传输的卡座连接器，在原有的8pin结构卡座的基础上新增了多个PIN针端子，在满足SIM卡与Nano SD卡兼容的同时，满足了高速传输需求，为实现Nano SD2.0协议提供了条件，且提高了手机卡座的通用性；13个PIN中原有的8pin分为四对相对分布在塑胶体的两边，新增的5pin采用相对交错方式分布在原有的四对第一PIN端子之间，且采用长PIN端子结构，使得新增的5pin的接触点分布在固持件的中间，即满足了SIM卡与Nano SD卡的兼容需求，又没有增大原有卡座的尺寸大小，避免了手机其他结构的改变，大大的降低了研发成本。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。