功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法

摘要

本公开涉及一种功率器件、电力电子设备及功率器件的制作方法。功率器件包括:N型半导体衬底；P型阱层，位于N型半导体衬底的前侧；N型发射层，位于P型阱层的前侧；沟槽，穿过N型发射层和P型阱层并延伸至N型半导体衬底的内部；栅结构，填充于沟槽内，包括第一部分和第二部分，第一部分更加靠近沟槽的底壁，第一部分的材料包括绝缘氧化物，第二部分的材料包括掺杂多晶硅；第一介质层，覆于沟槽的侧壁，将第二部分与P型阱层间隔，及将第二部分与N型发射层间隔。