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解决管芯高度差异的导热层的3D构造

摘要

实施例涉及封装半导体器件。更特别地,实施例涉及具有不同高度的管芯和用以解决管芯高度差异的导热层的三维构造的半导体器件。实施例包括半导体封装和形成这样的封装的方法。一种半导体封装包括封装衬底上的第一、第二和第三微电子器件。第一微电子器件具有与第二微电子器件的顶表面基本上共面的顶表面。第三微电子器件具有高于第一和第二微电子器件的顶表面的顶表面。半导体封装包括第一和第二微电子器件上的第一传导层,以及第三微电子器件上的第二传导层。第二传导层具有比第一传导层的厚度更小的厚度,以及与第一传导层的顶表面基本上共面的顶表面。半导体包括第一和第二传导层上的热界面材料。第一和第二传导层由铜、银、氮化硼或石墨烯组成。

著录项

  • 公开/公告号CN113013115A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN202011009982.2

  • 申请日2020-09-23

  • 分类号H01L23/367(20060101);H01L23/373(20060101);H01L25/18(20060101);H01L25/16(20060101);H01L21/98(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘书航;申屠伟进

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 11:32:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/367 专利申请号:2020110099822 申请日:20200923

    实质审查的生效

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