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高边功率MOSFET的驱动保护电路

摘要

本申请公开了一种高边功率MOSFET的驱动保护电路,包括低压输入控制电路、第一电平转换电路、第二电平转换电路、第三电平转换电路和驱动电路;低压输入控制电路分别与第一电平转换电路、第二电平转换电路和第三电平转换电路相连接;驱动电路分别与第一电平转换电路和第三电平转换电路相连接;所述第二电平转换电路与所述第三电平转换电路相连接;所述低压输入控制电路用于分别控制所述第一电平转换电路、所述第二电平转换电路和所述第三电平转换电路的电压转换以驱动高边功率MOSFET工作。本申请的高边功率MOSFET的驱动保护电路,能确保高边功率MOSFET用于高边驱动时既能正常开启又能正常关断,同时还能保护高边功率MOSFET正常工作不被过压击穿。

著录项

  • 公开/公告号CN112994669A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江地芯引力科技有限公司;

    申请/专利号CN202110449616.7

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2021-04-25

  • 分类号H03K17/08(20060101);

  • 代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;

  • 代理人孔垂超

  • 地址 311215 浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期H座111

  • 入库时间 2023-06-19 11:27:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-24

    专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H03K17/08 专利申请号:2021104496167 专利号:ZL2021104496167 合同备案号:X2023980033320 让与人:浙江地芯引力科技有限公司 受让人:深圳市安锐微电子科技有限公司 发明名称:高边功率MOSFET的驱动保护电路 申请日:20210425 申请公布日:20210618 授权公告日:20210817 许可种类:普通许可 备案日期:20230308

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

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