公开/公告号CN112994669A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江地芯引力科技有限公司;
申请/专利号CN202110449616.7
发明设计人 不公告发明人;
申请日2021-04-25
分类号H03K17/08(20060101);
代理机构11619 北京辰权知识产权代理有限公司;
代理人孔垂超
地址 311215 浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期H座111
入库时间 2023-06-19 11:27:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-24
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H03K17/08 专利申请号:2021104496167 专利号:ZL2021104496167 合同备案号:X2023980033320 让与人:浙江地芯引力科技有限公司 受让人:深圳市安锐微电子科技有限公司 发明名称:高边功率MOSFET的驱动保护电路 申请日:20210425 申请公布日:20210618 授权公告日:20210817 许可种类:普通许可 备案日期:20230308
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
机译: 过电流保护电路,例如D类放大器,具有功率MOSFET,可将信号传输到逻辑驱动器电路,当驱动器电路指示存在过流情况时,该逻辑驱动器电路会删除放大器输入电路
机译: 驱动电感负载的功率MOSFET的保护电路
机译: 用于驱动感应负载的功率MOSFET的保护电路