A位含硒元素的MAX相层状材料、其制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种A位含硒元素的MAX相层状材料、其制备方法及应用。所述MAX相层状材料的分子式表示为Mn+1AXn，M选自前过渡金属族的任意一种或两种以上的任意组合，A为硒或含硒合金的任意组合，X为C、N元素中的任意一种或两种的任意组合，n为1、2、3或4。该MAX相层状材料具有六方晶系结构，空间群为P63/mmc，晶胞由Mn+1Xn单元与含硒原子层交替堆垛而成。本发明还提供了前述A位含硒元素的MAX相层状材料的制备方法。本发明的A位含硒元素的MAX相层状材料在超导、吸波、储能、催化、光伏、电子、热电等领域具有潜在的应用前景。