半导体废硅泥的二氧化硅再生方法

摘要

本发明公开了一种半导体废硅泥的二氧化硅再生方法，其方法如下：将废硅泥进行第一次干燥，干燥条件为150～300℃，干燥时间为1～3小时，得硅泥固体；将所得的硅泥固体置入第一搅拌装置内，并加入第一浸渍溶液进行第一次搅拌；将所得之物进行第一次过滤及清洗；将所得之物进行第二次干燥；将所得之物置入第二搅拌装置中进行纯化，并加入第二浸渍溶液进行第二次搅拌；将所得之物进行第二次过滤及清洗；将所得之物进行第三次干燥；将所得之物进行研磨，使颗粒通过100mesh筛网，剩余颗粒大于100mesh的固体则继续研磨，即可得到粒度均匀且二氧化硅含量大于90％的粉体。