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一种高抗弯折性的ITO透明导电膜及其生产方法

摘要

本发明公开了一种高抗弯折性的ITO透明导电膜及其生产方法,包括基材层,所述基材层的上层面依次包括第一底涂层和掺锡氧化铟层,所述基材层的下层面依次包括第二底涂层和石墨烯层,所述基材层为PET层、透明PI层、PC层、PMMA层、玻璃层、聚酯塑料层、环氧塑料层、或者芳纶塑料层,厚度为4μm‑700μm,所述掺锡氧化铟锡层通过磁控溅射附着于第一底涂层表面。通过加入石墨烯层,利用石墨烯具有优良的导电性质,增加透明导电膜的导电性,石墨烯是已知强度最高的材料之一,同时还具有很好的韧性,且可以弯曲的性质增加ITO透明导电膜的延展性,从而防止ITO透明导电膜在加工过程中发生断裂或者出现裂缝,增加ITO透明导电膜的生产质量。

著录项

  • 公开/公告号CN112908516A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 焦作嵩阳光电科技有限公司;

    申请/专利号CN202110052394.5

  • 申请日2021-01-15

  • 分类号H01B5/14(20060101);H01B1/04(20060101);H01B13/00(20060101);

  • 代理机构41133 焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人杨明环

  • 地址 454150 河南省焦作市示范区腾云路455号

  • 入库时间 2023-06-19 11:14:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-31

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01B 5/14 专利申请号:2021100523945 申请公布日:20210604

    发明专利申请公布后的驳回

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