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一种减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法

摘要

本申请提供一种减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,对环境和作业现场都很环保,并且设备简单、成本低;所述的减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,包括步骤:S1,采用沸水对热电化学氧化后的工件进行封孔处理,热电化学氧化后的工件的表面具有原位生长的氧化陶瓷膜;S2,对步骤S1中封孔处理后的工件,采用阳极氧化膜和铝棒通电后进行电泳处理。

著录项

  • 公开/公告号CN112853430A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西比里电机技术(苏州)有限公司;

    申请/专利号CN202011638633.7

  • 发明设计人 李昊旻;雷厉;于飞;高宇飞;

    申请日2020-12-31

  • 分类号C25D11/18(20060101);C25D13/00(20060101);C25D13/18(20060101);

  • 代理机构32281 江苏昆成律师事务所;

  • 代理人刘尚轲

  • 地址 215000 江苏省苏州市昆山市花桥镇金星路18号A2幢

  • 入库时间 2023-06-19 11:08:20

说明书

技术领域

本发明涉及热电化学氧化技术领域,具体的,本发明涉及一种减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法。

背景技术

热电化学氧化是近几年国内外发展较快的一种新的表面处理技术,它是在阳极氧化基础上发展起来的,又称为微等离子体氧化、等离子热电化学氧化、等离子体增强电化学表面陶瓷化等。热电化学氧化采用较高的工作电压,将电压的工作区域由普通的阳极氧化法的法拉第区域,引入到高压放电区域,利用弧光放电增强并激活,使阳极上发生的反应,在一定电流密度下,致使在工件表面出现电晕、辉光、微弧放电、甚至火花斑,在阀金属表面原位形成一层致密的陶瓷膜,进而达到工件表面改性强化。阀金属在金属-氧化物-电解液体系中具有电解阀门作用的金属,阀金属主要包括Al、Ti、Mg、Zr、Nb、Ta六种金属及其合金。这种陶瓷膜与基体属冶金结合,结合强度好,硬度高,具有很好的耐磨、耐腐蚀、耐高压绝缘和抗高温冲击等特性,可以数倍乃至数十倍的提高工件的使用寿命。

但是,热电化学氧化后的陶瓷膜表面存在大量的形貌似火山口状的孔洞,这些孔洞主要是由于热电化学氧化时击穿放电,内部熔融氧化物和气体向外逸出造成的微气孔,并且在激冷的作用下,陶瓷膜还存在大量的微裂纹。这些喷射状的微气孔有的是连接工件基体与外界环境的通孔,有的是盲孔,在实际应用中,这些微气孔和微裂纹成为了腐蚀介质与工件基体接触的通道,削弱了陶瓷膜对工件基体的保护作用,陶瓷膜表面的微气孔和微裂纹程度业界用表面粗糙度来衡量。

为了进一步增强热电化学氧化后工件基体的耐腐蚀性能,除采用合理的热电化学氧化工艺得到致密的陶瓷层,减少裂纹以外,还需要进行一些后处理工艺,来减少表面粗糙度,例如采用渗透性好、化学性质稳定、与陶瓷膜结合力好的物质对陶瓷膜进行封孔,封闭陶瓷膜的微气孔和微裂纹,改善陶瓷膜对环境介质的屏障效应,减少微气孔和微裂纹易腐蚀带来的负面影响。但是,现有技术的后处理工艺,对环境不友好,并且设备复杂、成本高。

有鉴于此,本发明提供一种减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,,对环境和作业现场都很环保,并且设备简单、成本低。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,对环境和作业现场都很环保,并且设备简单、成本低。

一种减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,包括步骤:

S1,采用沸水对热电化学氧化后的工件进行封孔处理,热电化学氧化后的工件的表面具有原位生长的氧化陶瓷膜;

S2,对步骤S1中封孔处理后的工件,采用阳极氧化膜和铝棒通电后进行电泳处理。

在一些实施方式中,在步骤S1中,沸水封孔是在接近沸点的纯水中,沸水与工件表面的氧化陶瓷膜生成勃姆石,利用其本身体积膨胀而将微孔封闭。

进一步的,沸水封孔的时间为8-12min。

进一步的,工件表面的氧化陶瓷膜的成分主要是Al

进一步的,生成一水三氧化二铝的反应式S1如下:

Al

进一步的,当Al

进一步的,纯水包括:蒸镏水、或者离子交换水。

在一些实施方式中,在步骤S1中,热电化学氧化后的工件进行封孔处理时,工件是均速移动的,工件移动的速度为0.1m/min-5m/min。

在一些实施方式中,在步骤S2中,将制备的阳极氧化膜作为阴极,铝棒作为阳极,放入电泳液中,通电后水电解在阴阳两极放出大量氢气和氧气;当溶液中通入负向电流时,水中的氧气得电子,化合价降低,被还原成OH-,该过程使得阳极氧化膜内呈现碱性环境;同时,在电场的作用下,阳极铝电极失电子形成Al3+,电解液中Al3+和铝电极失电子形成的Al3+,在正向电流的作用下向阴极的阳极氧化膜内迁移,在电压的作用下可达孔洞的深处,与孔洞中OH-发生反应形成沉淀进而封孔。

进一步的,电泳液包括Al(ON)3、PH稳定剂和去离子水,Al(ON)3的质量占比为10%-20%,PH稳定剂的质量占比为0.9%-1.1%,去离子水的质量占比为79%-89%。

进一步的,电泳处理时电泳液的温度:20-30℃,电泳液PH:8~10,电泳处理的时间:5-10min。

进一步的,电泳处理的电源为恒压模式的脉冲电源,其电压为50-80V、频率为500HZ、占空比为15%-50%。

在一些实施方式中,所述减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,还包括步骤S3:采用纯水清洗,去除工件表面的杂质。

进一步的,在步骤S1中,热电化学氧化后的工件经过纯水清洗后,再进入沸水封闭设备中,或/和在步骤S2中,电泳处理后对工件进行纯水清洗。

进一步的,纯水清洗,每次清洗的时间为1min,纯水的温度为20-25℃。

进一步的,采用所述的减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,进行后处理的工件,工件表面的陶瓷膜的表面粗糙度Ra为0.8-2um,沉积层的厚度为10-20um,采用中性盐雾测试进行耐腐蚀性,得到耐腐蚀性的时间为180-220h。

技术效果:本申请的减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,与现有技术相比:1.沸水封孔处理很环保,对环境和作业现场无任何污染,不会产生现有技术的封孔含镍工业废水;2.电泳处理也很环保,对环境和作业现场无任何污染,不会产生现有技术的电泳含废树脂工业废水,并且生产设备要求简单。

具体实施方式

描述以下实施例以辅助对本申请的理解,实施例不是也不应当以任何方式解释为限制本申请的保护范围。

在以下描述中,本领域的技术人员将认识到,在本论述的全文中,组件可描述为单独的功能单元(可包括子单元),但是本领域的技术人员将认识到,各种组件或其部分可划分成单独组件,或者可整合在一起(包括整合在单个的系统或组件内)。

同时,组件或系统之间的连接并不旨在限于直接连接。相反,在这些组件之间的数据可由中间组件修改、重格式化、或以其它方式改变。另外,可使用另外或更少的连接。还应注意,术语“联接”、“连接”、或“输入”“固定”应理解为包括直接连接、通过一个或多个中间媒介来进行的间接的连接或固定。

实施例1:

一种减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,包括步骤:

S1,采用沸水对热电化学氧化后的工件进行封孔处理,热电化学氧化后的工件的表面具有原位生长的氧化陶瓷膜;

S2,对步骤S1中封孔处理后的工件,采用阳极氧化膜和铝棒通电后进行电泳处理。

在步骤S1中,沸水封孔是在接近沸点的纯水中,沸水与工件表面的氧化陶瓷膜生成勃姆石,利用其本身体积膨胀而将微孔封闭。沸水封孔的时间为10min。工件表面的氧化陶瓷膜的成分主要是Al

Al

当Al

在步骤S2中,将制备的阳极氧化膜作为阴极,铝棒作为阳极,放入电泳液中,通电后水电解在阴阳两极放出大量氢气和氧气;当溶液中通入负向电流时,水中的氧气得电子,化合价降低,被还原成OH-,该过程使得阳极氧化膜内呈现碱性环境;同时,在电场的作用下,阳极铝电极失电子形成Al3+,电解液中Al3+和铝电极失电子形成的Al3+,在正向电流的作用下向阴极的阳极氧化膜内迁移,在电压的作用下可达孔洞的深处,与孔洞中OH-发生反应形成沉淀进而封孔。电泳液包括Al(ON)3、PH稳定剂和去离子水,Al(ON)3的质量占比为15%,PH稳定剂的质量占比为1.0%,去离子水的质量占比为85%。电泳处理时电泳液的温度为25℃,电泳液PH为9,电泳处理的时间为8min。电泳处理的电源为恒压模式的脉冲电源,其电压为50-80V、频率为500HZ、占空比为35%。

所述减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,还包括步骤S3:采用纯水清洗,去除工件表面的杂质。在步骤S1中,热电化学氧化后的工件经过纯水清洗后,再进入沸水封闭设备中,和在步骤S2中,电泳处理后对工件进行纯水清洗。纯水清洗,每次清洗的时间为1min,纯水的温度为20-25℃。

上述采用本申请的减少热电化学氧化陶瓷膜表面粗糙度的方法,得到的工件样本,对工件样本的表面进行测试,得到该工件表面的陶瓷膜的表面粗糙度Ra为1.6um,沉积层的厚度为15um,采用中性盐雾测试进行耐腐蚀性,得到耐腐蚀性的时间为200h。

尽管本申请已公开了多个方面和实施方式,但是其它方面和实施方式对本领域技术人员而言将是显而易见的,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。本申请公开的多个方面和实施方式仅用于举例说明,其并非旨在限制本申请,本申请的实际保护范围以权利要求为准。

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