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公开/公告号CN112820693A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 广东工业大学;
申请/专利号CN202011638463.2
发明设计人 杨冠南;刘宇;崔成强;张昱;
申请日2020-12-31
分类号H01L21/768(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人林丽明
地址 510090 广东省广州市越秀区东风东路729号
入库时间 2023-06-19 11:02:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-04
授权
发明专利权授予
机译: 基于碳纳米材料复合结构的三维硅贯通孔垂直互连方法
机译: 基于互连纳米结构,纳米结构的纳米结构制造方法及其用作热电转换器
机译: 三维纳米结构和三维手性纳米结构的制备方法
机译:基于三维互连仿真的低于100 nm嵌入式SRAM的实际缩放方案
机译:基于三维互连模拟的Sub-100nm嵌入式SRAM的现实缩放场景
机译:基于装置嵌入式波导膜和分子纳米技术的三维芯片尺度光学互连和交换机与自组织布线和分子纳米技术
机译:基于互连碳纳米材料的三维纳米结构的合成与表征
机译:基于金属的纳米催化剂:通过细胞结构通用设计的基于金属的纳米催化剂(Adv。Sci。3/2020)
机译:一种基于频域特征值的快速全波建模方法 大规模三维片上互连结构
机译:基于离子族金属的纳米级磁性电沉积结构:制备,结构,磁性和磁阻性质。