微发光二极管阵列基板及微发光二极管的转移方法

摘要

本发明提供一种微发光二极管阵列基板及微发光二极管的转移方法，微发光二极管阵列基板具体包括：衬底基板及位于衬底基板上阵列排布的若干微发光二极管；其中，相邻微发光二极管之间藉由金属块而隔开，且金属块在垂直于衬底基板方向的高度大于微发光二极管的高度。以此在转移过程中，去除金属块后在临时键合胶上留下凹槽，通过在凹槽中通入清洗剂，去除临时键合胶，以实现在常温下聚二甲基硅氧烷转移装置对微发光二极管的拾取，提高微发光二极管的转移良率。