雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质

摘要

本申请涉及一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试环境参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

说明书

技术领域

本申请涉及可靠性测试技术领域，特别是涉及一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质。

背景技术

随着第三代半导体技术的发展，碳化硅MOSFET器件和二极管以其高频、低功耗、更高功率密度，更低系统成本等优点，在高频开关和汽车电子等特殊环境越来越多的被使用。这些器件驱动感性负载时，会承受非钳位感性开关(Unclamped Inductive Switching，UIS)的能量尖峰。非钳位感性负载下的开关过程通常被认为是MOSFET器件和二极管器件在系统应用中所能遭受的最极端应力情况，因为在回路导通时存储在电感中的能量必须在关断瞬间全部由待测器件释放，同时施加于待测器件的高电压和大电流极易造成器件失效，这种失效带来的损伤通常是不可修复的。因此，雪崩耐量通常是衡量碳化硅待测器件可靠性的一个重要指标。

雪崩耐量测试就是按设定电压、电流、电感条件，模拟器件实际应用关断时产生雪崩的过程，看被测器件是否发生损坏，不能承受这个规定能量的器件就是不合格产品。雪崩耐量测试包括单次脉冲雪崩耐量测试和重复脉冲雪崩耐量测试，单次脉冲雪崩耐量测试设备测量条件包括电感、单次雪崩电流值和雪崩过程中供电电压，相比单脉冲测试，重复脉冲的测量条件还包括结温、雪崩脉冲宽度及频率等参数。

虽然碳化硅MOSFET的规格书表中列出了重复雪崩电流值和重复雪崩能量，同时标注了测量条件，但通常只有起始温度25℃、最高结温150℃或者175℃以及电感值。要完整评估待测器件的重复雪崩能力，涉及的参数还包括稳态热阻(结-壳热阻或结-环热阻)、工作脉冲占空比、工作频率、雪崩脉冲占空比(或直接给出雪崩脉冲宽度)、供电电压、瞬态热阻曲线、阻性负载值，这些测试参数选取不同，对重复雪崩耐量测试结果的影响非常大。在实际重复雪崩耐量测试过程中，往往会由于参数选取不合理，严重影响重复雪崩耐量测试结果的准确性，传统的重复雪崩耐量测试操作具有测试可靠性差的缺点。

发明内容

基于此，有必要针对传统的重复雪崩耐量测试操作测试可靠性差的问题，提供一种雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质。

一种雪崩测试参数选取方法，包括：获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将所述结温参数与预设结温阈值进行比较分析；根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。

一种雪崩测试参数选取装置，包括：设定参数获取模块，用于获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；结温参数分析模块，用于根据所述测试环境参数和所述设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将所述结温参数与预设结温阈值进行比较分析；选取结果提示模块，用于根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。

一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。

上述雪崩测试参数选取方法、装置、计算机设备及存储介质，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一实施例中雪崩测试参数选取方法流程示意图；

图2为一实施例中重复雪崩耐量测试电路原理图；

图3为另一实施例中雪崩测试参数选取方法流程示意图；

图4为又一实施例中雪崩测试参数选取方法流程示意图；

图5为一实施例中结温峰值分析流程示意图；

图6为一实施例中重复雪崩波形示意图；

图7为另一实施例中结温峰值分析流程示意图；

图8为另一实施例中重复雪崩波形示意图；

图9为一实施例中雪崩测试参数选取装置结构示意图；

图10为一实施例中计算机设备内部结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。

请参阅图1，一种雪崩测试参数选取方法，包括步骤S100、步骤S200和步骤S300。

步骤S100，获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数。

具体地，当用户有进行重复雪崩耐量测试的需求时，用户首先向执行本实施例中雪崩测试参数选取方法的控制装置或者处理器输入与重复雪崩耐量测试电路相关的设定参数，同时通过相应的采集装置采集测试环境参数。重复雪崩耐量测试即为模拟待测器件承受非钳位感性开关的能量尖峰，对待测器件在极端应力条件下的运行可靠性进行检测验证的方案。

重复雪崩耐量测试电路的类型并不是唯一的，只要是能够产生一个高压，将待测器件击穿，以模拟待测器件的极端运行环境进行测试均可。例如，在一个实施例中，重复雪崩耐量测试电路的原理图如图2所示，待测器件DUT的控制端用于输入脉冲信号VGS，用以控制待测器件DUT的通断，待测器件DUT的第一端连接可调电感L的一端，可调电感L的另一端连接可调负载RL的一端，可调负载RL的另一端连接电容C的一端和电源VDD，电容C的另一端连接电源VDD和待测器件DUT的第二端。输入待测器件DUT的脉冲信号VGS控制待测器件DUT断开时，由于可调电感L上的电流不能突变，在可调电感L上将会产生感应电动势，该感应电压施加到待测器件DUT之后，将会使得待测器件DUT被击穿。

应当指出的是，设定参数的类型并不是唯一的，在一个实施例中，设定参数包括重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值(即可调电感的电感大小)、负载电阻值(即可调负载的电阻大小)、工作脉冲占空比(即输入待测器件的脉冲信号)、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值中的至少一种。在一个较为详细的实施例中，设定参数同时包括重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值。

步骤S200，根据测试环境参数和设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将结温参数与预设结温阈值进行比较分析。

具体地，重复雪崩耐量测试的关键点在于如何确保连续雪崩过程中，结温参数在规定的范围内。因此，在本实施例中，当获取设定参数和测试环境参数之后，将会根据当前设定参数以及测试环境参数进行分析计算，得到待测器件在当前设定参数下所能达到的结温参数，之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，判断当前设定参数下所能达到的结温是否会超出预设结温阈值。

应当指出的是，待测器件的类型并不是唯一的，可以是三极管或者金属-氧化物-半导体场效应晶体管等功率器件，进一步地，在一个实施例中，待测器件具体可以是碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)。

步骤S300，根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。

具体地，设定参数合理即表示结温参数没有超过预设结温阈值，而需要输出调整设定参数的信息即表示此时结温参数超过所允许的预设结温阈值。在根据结温参数与预设结温阈值进行比较分析之后，根据不同的比较分析结果，对应的设定参数是否合理的信息，在设定参数不合理的情况下，以指导用户对设定参数进行调整，使得最终用于重复雪崩耐量测试时的参数满足测试需求，保证测试过程中结温参数始终处于预设结温阈值之内，保证雪崩测试结果的准确性。

在一个实施例中，步骤S300之后，还包括：当接收到开始测试信息时，控制脉冲发生装置向待测器件发送连续脉冲，以控制待测器件导通或断开。

具体地，当结合其它采集装置采集并发送的测试环境参数以及用户输入的设定参数进行设定参数是否符合测试需求的分析之后，接收到开始测试信息时，将会控制脉冲发生装置产生连续脉冲重复控制待测器件导通或断开，并且在待测器件断开的情况下，重复雪崩耐量测试电路会产生感应电动势施加到待测器件，最终使得待测器件击穿，完成重复雪崩耐量测试。

应当指出的是，接收到开始测试信息的具体情形并不是唯一的。在一个实施例中，可以是分析得到测试参数合理时，即默认为接收到开始测试信息，此时将会直接开始进行重复雪崩脉冲测试。在另一个实施例中，可以是当分析得到设定参数满足测试需求时输出设定参数合理的信息，在该种情况下用户会发送确认指令或者开启指令，当接收到确认指令或者开启指令即表示接收到开始测试信息。在其它实施例中，还可以是输出调整设定参数的提示信息后，用户仍然向控制装置100发送确认指令或者开启指令，此时同样表示控制装置100接收到开始测试信息。

可以理解，在一个实施例中，若用户在接收到调整设定参数的提示信息后对设定参数进行了调整，此时还会根据调整后的设定参数，重新结合调整后的设定参数以及测试环境参数，重新进行设定参数是否合理的分析判断，直至用户向控制装置发送确认指令或者设定参数调整到满足测试需求

请参阅图3，在一个实施例中，结温参数包括峰值结温，步骤S300包括步骤S310和步骤S320。

步骤S310，当峰值结温小于预设结温阈值时，输出设定参数合理的信息；步骤S320，当峰值结温大于或等于预设结温阈值时，输出调整设定参数的提示信息。

具体地，峰值结温即为待测器件的结温所能达到的最大值。在该实施例中通过计算得到峰值结温之后，将峰值结温与预设结温阈值进行比较分析，判断该峰值结温是否小于预设结温阈值。若是，则表示峰值结温在所允许达到的结温阈值之内，在当前设定参数下，待测器件的结温并不会超出预设结温阈值，此时设定参数合理，可满足重复雪崩耐量测试的需求，并不会造成重复雪崩耐量测试结果不准确。若否，则表示待测器件所能达到的峰值结温过大，若以该设定参数进行重复雪崩耐量测试，会有待测器件的结温超出预设结温的可能，导致测量结果不准确。因此，在峰值结温大于或等于预设结温阈值时，将会输出调整设定参数的提示信息告知用户，以便于用户结合实际需求选择是否调整设定参数，例如调整设定参数中的供电电压值或者电感值等。

应当指出的是，在一个实施例中，结温参数还包括平均结温，对应的将结温参数与预设结温阈值进行比较分析则包括将平均结温与平均结温相应的预设结温阈值进行比较分析，以及将峰值结温与峰值结温对应的预设结温阈值进行比较分析。在平均结温以及峰值结温均小于对应的预设结温阈值时，表示此时参数设置合理，输出设定参数合理的信息即可，否则设定参数侧不合理，会输出调整设定参数的提示信息。

请参阅图4，在一个实施例中，结温参数包括峰值结温，根据设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数的步骤，包括步骤S210和步骤S220。

步骤S210，当重复雪崩耐量测试电路的负载电阻值不为零时，根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温；步骤S220，当重复雪崩耐量测试电路的负载电阻值为零时，根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比、工作频率和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温。

具体地，在进行重复雪崩耐量测试时，负载电阻的阻值大小是可以调节的，因此，针对负载电阻阻值是否为零，对应的峰值结温的分析方式也不一致。本实施例给出了负载电阻阻值为零和负载电阻阻值不为零两种重复雪崩脉冲测试实现方案，在负载电阻不为零的时候，需要结合负载电阻阻值以及重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值进行分析，得到对应的峰值结温，而在负载电阻阻值为零的情况下，则只需要结合重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比、工作频率和待测器件击穿电压值进行分析，即可以得到最终峰值结温。

可以理解，在负载电阻阻值不为零的情况下，进行峰值结温分析的具体方式并不是唯一的，在一个实施例中，请结合参阅图5，根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温的步骤，包括步骤S211-步骤S219。

步骤S211，根据重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、负载电阻值和待测器件导通电阻值进行分析，得到雪崩电流值；步骤S212，根据雪崩电流值、负载电阻值、供电电压、重复雪崩耐量测试电路的电感值和待测器件击穿电压值进行分析，得到雪崩脉宽；步骤S213，根据雪崩电流值、雪崩脉宽和待测器件击穿电压值进行分析，得到重复雪崩能量值；步骤S214，根据重复雪崩能量值和雪崩脉宽进行分析，得到雪崩功率；步骤S215，根据重复雪崩能量值和重复雪崩耐量测试电路的工作频率进行分析，得到平均雪崩功率；步骤S216，根据重复雪崩耐量测试电路的工作脉冲占空比、雪崩电流值和待测器件导通电阻值进行分析，得到平均导通功率；步骤S217，根据平均雪崩功率、平均导通功率和测试环境参数进行分析，得到平均结温；步骤S218，根据雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到结温变化量；步骤S219，根据平均结温和结温变化量得到结温峰值。

具体地，请结合参阅图6，结合如图2所示的重复雪崩耐量测试电路的原理图，其中VGS为脉冲信号，IAR为雪崩电流，VDS为图2中可调电感L与待测器件DUT的一端之间的采样电压信号。定义边界条件(t＝0，i(t)＝IL＝IAR)，t＝0即为图6所示雪崩电流值IAR的第一个脉冲结束时刻，推到得到重复雪崩耐量测试过程中电流与相关参数的关系式如下：

其中，i(t)表示时间t时刻的电流，t表示时间，I

已知雪崩脉宽(t

其中，t

应当指出的是，雪崩电流值I

其中，I

进一步地，在进行分析计算得到雪崩电流值以及雪崩脉宽之后，可以进一步结合雪崩电流值，雪崩脉宽和雪崩电压(为了便于理解本申请的各个实施例，均以雪崩电压等于1.3倍的击穿电压BVDSS大小)进行分析计算，得到重复雪崩能量值。在一个较为详细的实施例中，重复雪崩能量值的具体计算方式如下：

其中，E

在得到雪崩能量值之后，将会进一步结合雪崩能量值进行雪崩功率以及平均雪崩功率的分析计算，在一个较为详细的实施例中，雪崩功率以及平均雪崩功率的计算方式如下：

P

其中，P

在一个实施例中，还可结合重复雪崩耐量测试电路的工作脉冲占空比、雪崩电流值和待测器件导通电阻值进行分析，平均导通功率的计算方式如下：

P

其中，P

在进行重复雪崩耐量测试，向待测器件的控制端重复输入脉冲信号进行通断控制时，其结温将会有一个平均值的增加，此平均值基于平均的功耗，同时伴随着每一个脉冲的峰值温度。故在该实施例中，将会结合平均雪崩功率、平均导通功率和测试环境参数进行分析计算，得到相应的平均结温之后，需要结合雪崩功率和测试环境参数进行分析计算，得到结温变化量，最终根据平均结温和节温变化量才可分析计算得到对应的峰值结温。在一个较为详细的实施例中，峰值结温的计算方式如下：

T

其中，T

应当指出的是，在实际分析操作中，测试环境参数可通过其它设备进行测量，最终发送至执行本申请中雪崩测试参数选取方法的控制装置或者处理器，最终进行分析计算，即可得到对应高的峰值结温。测试环境参数的具体类型并不是唯一的，在一个实施例中，测试环境参数包括待测器件的稳态热阻、瞬态热阻、待测器件所处环境的环境温度或者待测器件的壳温等。

可以理解，结合测试环境参数进行峰值结温分析计算的方式并不是唯一的，在一个实施例中，测试环境参数包括环境温度、待测器件的稳态结环热阻值和瞬态结环热阻值，步骤S217包括：根据平均雪崩功率、平均导通功率、环境温度和稳态结环热阻值进行分析，得到平均结温；对应的步骤S218包括：根据雪崩功率和瞬态结环热阻值进行分析，得到结温变化量。

具体地，本实施例采用环境温度来进行平均结温的计算，对应的待测器件的稳态热阻采用稳态结环热阻，瞬态热阻采用瞬态结环热阻。平均结温的具体计算方式如下：

T

其中，T

进一步地，结温变化量的计算方式如下：ΔT＝P

在另一个实施例中，测试环境参数包括平均壳温、待测器件的稳态结壳热阻值和瞬态结壳热阻值，步骤S217包括：根据平均雪崩功率、平均导通功率、平均壳温和稳态结壳热阻值进行分析，得到平均结温；步骤S218包括：根据雪崩功率和瞬态结壳热阻值进行分析，得到结温变化量。

具体地，本实施例采用待测器件的壳体的温度(也即平均壳温)来进行平均结温的计算，对应的待测器件的稳态热阻采用稳态结壳热阻，瞬态热阻采用瞬态结壳热阻。平均结温的具体计算方式如下：

T

其中，T

进一步地，结温变化量的计算方式如下：ΔT＝P

请结合参阅图7，在一个实施例中，根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温的步骤，包括步骤S221-步骤S228。

步骤S221，根据重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比和工作频率进行分析，得到雪崩电流值；步骤S222，根据雪崩电流值、电感值、供电电压和待测器件击穿电压值进行分析，得到雪崩脉宽；步骤S223，根据雪崩电流值、电感值、供电电压和待测器件击穿电压值进行分析，得到重复雪崩能量值；步骤S224，根据重复雪崩能量值和雪崩脉宽进行分析，得到雪崩功率；步骤S225，根据重复雪崩能量值和工作频率进行分析，得到平均雪崩功率；步骤S226，根据平均雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到平均结温；步骤S227，根据雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到结温变化量；步骤S228，根据平均结温和结温变化量得到结温峰值。

具体地，请结合参阅图8，其中VGS为脉冲信号，IAR为雪崩电流，VDS为图2中可调电感L与待测器件DUT的一端之间的采样电压信号。已知雪崩脉宽(t

其中，t

应当指出的是，雪崩电流值I

其中，I

进一步地，在进行分析计算得到雪崩电流值以及雪崩脉宽之后，可以进一步结合雪崩电流值、电感值、供电电压和雪崩电压(为了便于理解本申请的各个实施例，均以雪崩电压等于1.3倍的击穿电压BVDSS大小)进行分析计算，得到重复雪崩能量值。在一个较为详细的实施例中，重复雪崩能量值的具体计算方式如下：

其中，E

在得到雪崩能量值之后，将会进一步结合雪崩能量值进行雪崩功率以及平均雪崩功率的分析计算，在一个较为详细的实施例中，雪崩功率以及平均雪崩功率的计算方式如下：

P

其中，P

在进行重复雪崩耐量测试，向待测器件的控制端重复输入脉冲信号进行通断控制时，其结温将会有一个平均值的增加，此平均值基于平均的功耗，同时伴随着每一个脉冲的峰值温度。故在该实施例中，将会结合平均雪崩功率、平均导通功率和测试环境参数进行分析计算，得到相应的平均结温之后，需要结合雪崩功率和测试环境参数进行分析计算，得到结温变化量，最终根据平均结温和节温变化量才可分析计算得到对应的峰值结温。在一个较为详细的实施例中，峰值结温的计算方式如下：

T

其中，T

应当指出的是，在实际分析操作中，测试环境参数可通过其它设备进行测量，最终发送至执行本申请中雪崩测试参数选取方法的控制装置或者处理器，最终进行分析计算，即可得到对应高的峰值结温。测试环境参数的具体类型并不是唯一的，在一个实施例中，测试环境参数包括待测器件的稳态热阻、瞬态热阻、待测器件所处环境的环境温度或者待测器件的壳温等。

在一个实施例中，测试环境参数包括环境温度、待测器件的稳态结环热阻值和瞬态结环热阻值，步骤S226包括：根据平均雪崩功率、环境温度和稳态结环热阻值进行分析，得到平均结温。步骤S227包括：根据雪崩功率和瞬态结环热阻值进行分析，得到结温变化量。

具体地，本实施例采用环境温度来进行平均结温的计算，对应的待测器件的稳态热阻采用稳态结环热阻，瞬态热阻采用瞬态结环热阻。平均结温的具体计算方式如下：

T

其中，T

进一步地，结温变化量的计算方式如下：ΔT＝P

在另一个实施例中，测试环境参数包括平均壳温、待测器件的稳态结壳热阻值和瞬态结壳热阻值，步骤S226包括：根据平均雪崩功率、平均壳温和稳态结壳热阻值进行分析，得到平均结温。步骤S227包括：根据雪崩功率和瞬态结壳热阻值进行分析，得到结温变化量。

具体地，本实施例采用待测器件的壳体的温度(也即平均壳温)来进行平均结温的计算，对应的待测器件的稳态热阻采用稳态结壳热阻，瞬态热阻采用瞬态结壳热阻。平均结温的具体计算方式如下：

T

其中，T

进一步地，结温变化量的计算方式如下：ΔT＝P

为了便于理解本申请的各个实施例，下面结合详细实施例对本申请进行解释说明。在一个较为详细的实施例中，负载电阻值为零，设定T

根据

由以上示例可知，用户选取的设定参数虽然可以确保平均结温不超过预设结温阈值，但峰值结温已经超过了预设结温阈值，此时会输出调整设定该参数的提示信息。此时用户可以根据实际情况，比如测试严苛程度，评估此测试参数选取是否合理，是否需要调整测试参数，如是否需要调整VDD和电感L等。

上述雪崩测试参数选取方法，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试环境参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

应该理解的是，虽然图1、图3-5、图7的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1、图3-5、图7中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

请参阅图9，一种雪崩测试参数选取装置，包括：设定参数获取模块100、结温参数分析模块200和选取结果提示模块300。

设定参数获取模块100用于获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；结温参数分析模块200用于根据测试环境参数和设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将结温参数与预设结温阈值进行比较分析；选取结果提示模块300用于根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。

在一个实施例中，结温参数包括峰值结温，选取结果提示模块300还用于当峰值结温小于预设结温阈值时，输出设定参数合理的信息；当峰值结温大于或等于预设结温阈值时，输出调整设定参数的提示信息。

在一个实施例中，结温参数包括峰值结温，结温参数分析模块200还用于当重复雪崩耐量测试电路的负载电阻值不为零时，根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温；当重复雪崩耐量测试电路的负载电阻值为零时，根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比、工作频率和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温。

在一个实施例中，结温参数分析模块200还用于根据重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、负载电阻值和待测器件导通电阻值进行分析，得到雪崩电流值；根据雪崩电流值、负载电阻值、供电电压、重复雪崩耐量测试电路的电感值和待测器件击穿电压值进行分析，得到雪崩脉宽；根据雪崩电流值、雪崩脉宽和待测器件击穿电压值进行分析，得到重复雪崩能量值；根据重复雪崩能量值和雪崩脉宽进行分析，得到雪崩功率；根据重复雪崩能量值和重复雪崩耐量测试电路的工作频率进行分析，得到平均雪崩功率；根据重复雪崩耐量测试电路的工作脉冲占空比、雪崩电流值和待测器件导通电阻值进行分析，得到平均导通功率；根据平均雪崩功率、平均导通功率和测试环境参数进行分析，得到平均结温；步根据雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到结温变化量；根据平均结温和结温变化量得到结温峰值。

在一个实施例中，测试环境参数包括环境温度、待测器件的稳态结环热阻值和瞬态结环热阻值，结温参数分析模块200还用于根据平均雪崩功率、平均导通功率、环境温度和稳态结环热阻值进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和瞬态结环热阻值进行分析，得到结温变化量。

在一个实施例中，测试环境参数包括平均壳温、待测器件的稳态结壳热阻值和瞬态结壳热阻值，结温参数分析模块200还用于根据平均雪崩功率、平均导通功率、平均壳温和稳态结壳热阻值进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和瞬态结壳热阻值进行分析，得到结温变化量。

在一个实施例中，结温参数分析模块200还用于根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比和工作频率进行分析，得到雪崩电流值；根据雪崩电流值、电感值、供电电压和待测器件击穿电压值进行分析，得到雪崩脉宽；根据雪崩电流值、电感值、供电电压和待测器件击穿电压值进行分析，得到重复雪崩能量值；根据重复雪崩能量值和雪崩脉宽进行分析，得到雪崩功率；根据重复雪崩能量值和工作频率进行分析，得到平均雪崩功率；根据平均雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到结温变化量；根据平均结温和结温变化量得到结温峰值。

在一个实施例中，测试环境参数包括环境温度、待测器件的稳态结环热阻值和瞬态结环热阻值，结温参数分析模块200还用于根据平均雪崩功率、环境温度和稳态结环热阻值进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和瞬态结环热阻值进行分析，得到结温变化量。

在一个实施例中，测试环境参数包括平均壳温、待测器件的稳态结壳热阻值和瞬态结壳热阻值，结温参数分析模块200还用于根据平均雪崩功率、平均壳温和稳态结壳热阻值进行分析，得到平均结温。根据雪崩功率和瞬态结壳热阻值进行分析，得到结温变化量。

关于雪崩测试参数选取装置的具体限定可以参见上文中对于雪崩测试参数选取方法的限定，在此不再赘述。上述雪崩测试参数选取装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

上述雪崩测试参数选取装置，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取测试环境参数和重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图10所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口和数据库。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储设定参数。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种雪崩测试参数选取方法。

本领域技术人员可以理解，图10中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：获取测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的设定参数；根据测试环境参数和设定参数得到当前设定参数下待测器件的结温参数，并将结温参数与预设结温阈值进行比较分析；根据比较分析结果输出设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：当重复雪崩耐量测试电路的负载电阻值不为零时，根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、负载电阻值、工作脉冲占空比、工作频率、待测器件导通电阻值和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温；当重复雪崩耐量测试电路的负载电阻值为零时，根据测试环境参数和重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比、工作频率和待测器件击穿电压值进行分析，得到待测器件的峰值结温。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：根据重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、负载电阻值和待测器件导通电阻值进行分析，得到雪崩电流值；根据雪崩电流值、负载电阻值、供电电压、重复雪崩耐量测试电路的电感值和待测器件击穿电压值进行分析，得到雪崩脉宽；根据雪崩电流值、雪崩脉宽和待测器件击穿电压值进行分析，得到重复雪崩能量值；根据重复雪崩能量值和雪崩脉宽进行分析，得到雪崩功率；根据重复雪崩能量值和重复雪崩耐量测试电路的工作频率进行分析，得到平均雪崩功率；根据重复雪崩耐量测试电路的工作脉冲占空比、雪崩电流值和待测器件导通电阻值进行分析，得到平均导通功率；根据平均雪崩功率、平均导通功率和测试环境参数进行分析，得到平均结温；步根据雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到结温变化量；根据平均结温和结温变化量得到结温峰值。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：根据平均雪崩功率、平均导通功率、环境温度和稳态结环热阻值进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和瞬态结环热阻值进行分析，得到结温变化量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：根据平均雪崩功率、平均导通功率、平均壳温和稳态结壳热阻值进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和瞬态结壳热阻值进行分析，得到结温变化量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：根据重复雪崩耐量测试电路的供电电压值、电感值、工作脉冲占空比和工作频率进行分析，得到雪崩电流值；根据雪崩电流值、电感值、供电电压和待测器件击穿电压值进行分析，得到雪崩脉宽；根据雪崩电流值、电感值、供电电压和待测器件击穿电压值进行分析，得到重复雪崩能量值；根据重复雪崩能量值和雪崩脉宽进行分析，得到雪崩功率；根据重复雪崩能量值和工作频率进行分析，得到平均雪崩功率；根据平均雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和测试环境参数进行分析，得到结温变化量；根据平均结温和结温变化量得到结温峰值。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：根据平均雪崩功率、环境温度和稳态结环热阻值进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和瞬态结环热阻值进行分析，得到结温变化量。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：根据平均雪崩功率、平均壳温和稳态结壳热阻值进行分析，得到平均结温；根据雪崩功率和瞬态结壳热阻值进行分析，得到结温变化量。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述计算机设备的处理器所执行的方法一致的方法步骤，在此不再赘述。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。

上述计算机设备及存储介质，在对待测器件进行重复雪崩耐量测试时，能够获取重复雪崩耐量电路的相关设定参数进行分析，得到在当前设定参数下待测器件的结温参数。之后将结温参数与预设结温阈值进行比较分析，最终根据比较分析结果判断设定参数是否合理，也即根据比较分析结果输出对应的设定参数合理的信息或调整设定参数的提示信息。通过上述方案，可以在重复雪崩耐量测试操作中指导用户进行雪崩耐量参数的设置，从而保证用户选取的设置参数满足待测器件的重复雪崩耐量测试需求，进而保证重复雪崩耐量测试结果的准确性。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。