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公开/公告号CN112748136A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院高能物理研究所;
申请/专利号CN202011439058.8
发明设计人 朱晔;张小威;石泓;郑黎荣;刁千顺;洪振;杨俊亮;李鑫;
申请日2020-12-07
分类号G01N23/085(20180101);
代理机构11200 北京君尚知识产权代理有限公司;
代理人司立彬
地址 100049 北京市石景山区玉泉路19号乙
入库时间 2023-06-19 10:51:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-04-01
授权
发明专利权授予
机译: 用于使中子或X射线束单色化的设备包括布置在平面平行支撑元件的表面上的单色器晶体,该单色器晶体对中子和X射线束具有渗透性
机译: X射线吸收精细结构分析仪和X射线CT装置的K吸收末端有限差分法
机译: X射线衰减元件,X射线衰减方法,XAFS(X射线吸收精细结构)实验装置和XAFS测量方法
机译:借助超快扩展X射线吸收精细结构光谱学分析溶液中溴代烷烃的光解结构
机译:扩展X射线吸收精细结构光谱学和X射线吸收近边缘光谱学研究study杂价二氧化铈与局部结构变化与氧空位聚集相关
机译:超快时间分辨X射线衍射,扩展的X射线吸收精细结构和近边缘结构的X射线吸收
机译:近边缘X射线吸收精细结构(NEXAFS)光谱学获得的有机半导体结构和化学
机译:在使用扩展的X射线吸收精细结构光谱学来确定针铁矿/水界面处正磷酸盐表面复合物的键合构型。
机译:使用荧光检测的低Z吸收剂的表面扩展X射线吸收精细结构