步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统

摘要

本发明公开了步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统。快速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压。此方法包括：依照变化在第一范围内的多个位线电压以及变化在第二范围内相对验证电压的多个电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，决定由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器操作技术，且特别是有关于在步进编程脉冲(Increment Step Pulse Programming，ISPP)操作中决定快速通过写入(Quick PassWrite，QPW)操作的方法与系统。

背景技术

因应各种电子产品的广泛应用，快闪存储器在市场上是稳定地持续成长。为了提升存储容量，存储单元的结构也已发展成可存储多个位的存储单元，其例如是多阶存储单元(multi-level-cell,MLC)，其利用存储晶体管的阈值电压的不同阶次(level)来对应所储的数据，如此达到多位的存储。快闪存储器更例如是NAND型的快闪存储器，但是不限于此。

由于存储器的多个晶体管的阈值电压不会完全一致，因此这些晶体管的每一个阶次的阈值电压实际上是一个封包的分布。当存储单元是多阶存储单元(MLC)的结构时，其会有多个封包分散在0V到编程验证(program-verify，PV)电压之间。如果封包的分布的宽度较大，其相邻两个封包的尾端很可能重叠。如果读取的数据所应的阈值电压落在重叠区域，则可能会造成数据判错误，其需要后续一些复杂的程序来进行错误码的修正。

如果能缩减阈值电压封包的分布的宽度，其可以预期减少重叠区域。这是在多阶存储单元的操作上所需要继续研发的课题其一。

发明内容

本发明提供一种在步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统。本发明在步进编程脉冲操作中可以决定引入快速通过写入操作的时间点，其中快速通过写入操作的位线电压也可以配合设定，如此可以估计出位线电压与快速通过写入操作的时间点两者构成的最优化(optimized)的操作区域。

于一实施例，本发明提供一种在步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法。该步进编程脉冲操作是先对存储单元阵列的多个存储单元施加，该快速通过写入操作是栅极电压达到比一编程验证电压小的一预先编程验证电压后开始采用快速通过写入操作。由该预先编程验证电压到该编程验证电压有一电压差值，该快速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压。该决定快速通过写入操作的方法包括依照变化在第一范围内的多个该位线电压以及变化在第二范围内的多个该电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。再者，依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，决定由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。

于一实施例，对于所述决定快速通过写入操作的方法，该阈值电压分布宽度的该缩减量是针对每一个该位线电压在一步进电压下进行估计，其包括在对应该位线电压及该步进电压下估计不同的该电压差值的阈值电压相对栅极电压的变化曲线。依照该变化曲线估计在该电压差值下位于该编程验证电压的斜率。依照该斜率及该步进电压估计相对该位线电压是0V的该缩减量。该位线电压是由0V到一预定值的多个分离分析值。

于一实施例，对于所述决定快速通过写入操作的方法，该操作区域包括三角形，该三角形的底部是该位线电压的范围。

于一实施例，对于所述决定快速通过写入操作的方法，该缩减量地形图是根据该位线电压的高度决定第一选取区域，该编程枪数地形图是根据该编程枪数的高度决定第二选取区域，该第一选取区域与该第二选取区域重叠区域的至少一部分设定为操作区域。

于一实施例，对于所述决定快速通过写入操作的方法，该阈值电压分布宽度的该缩减量的估计包括根据预定样本的该位线电压、该电压差值及该步进电压与实验数据进行模型比对，以确定模型的正确性。

于一实施例，本发明再提供一种在步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的系统。该步进编程脉冲操作是先对存储单元阵列的多个存储单元施加，该快速通过写入操作是栅极电压达到比一编程验证电压小的一预先编程验证电压后开始采用快速通过写入操作。由该预先编程验证电压到该编程验证电压有一电压差值。该快速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压。该决定快速通过写入操作的系统包括一分析电路与一分析程序存储单元，其中该分析电路被配置成从该分析程序存储单元取得分析程序对该存储单元阵列进行操作，以执行以下步骤包括依照变化在第一范围内的多个该位线电压以及变化在第二范围内的多个该电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，决定由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。

于一实施例，对于所述决定快速通过写入操作的系统，该阈值电压分布宽度的该缩减量是针对每一个该位线电压在一步进电压下进行估计，包括在对应该位线电压及该步进电压下，估计不同的该电压差值的阈值电压相对栅极电压的变化曲线。依照该变化曲线，估计在该电压差值下位于该编程验证电压的斜率。依照该斜率及该步进电压估计相对该位线电压是0V的该缩减量。该位线电压是由0V到一预定值的多个分离分析值。

于一实施例，对于所述决定快速通过写入操作的系统，该操作区域包括三角形，该三角形的底部是该位线电压的范围。

于一实施例，对于所述决定快速通过写入操作的系统，该缩减量地形图是根据该位线电压的高度决定第一选取区域。该编程枪数地形图是根据该编程枪数的高度决定第二选取区域。该第一选取区域与该第二选取区域重叠区域的至少一部分设定为操作区域。

于一实施例，对于所述决定快速通过写入操作的系统，该阈值电压分布宽度的该缩减量的估计包括根据预定样本的该位线电压、该电压差值及该步进电压与实验数据进行模型比对，以确定模型的正确性。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例，存储器装置中的多个MLC存储单元对应多阶的阈值电压分布示意图。

图2是依照本发明的一实施例，存储单元的阈值电压(Vt)相对栅极电压(Vg)所测量的变化曲线示意图。

图3是依照本发明的一实施例，根据图2的数据转换成有效电流密度(J

图4是依照本发明的一实施例，在Vt对Vg的线性区域，进行步进编程脉冲(ISPP)操作配合快速通过写入(QPW)操作的机制示意图。

图5是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，根据图2的曲线在编程验证电压处的曲线斜率示意图。

图6是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，实际测量下存储单元的累积率示意图。

图7是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，针对阈值电压封包分布的宽度缩减量的仿真数据与测量数据的比对示意图。

图8是依照本发明的一实施例，缩减量地形图与编程枪数地形图示意图。

图9是依照本发明的一实施例，缩减量地形图与编程枪数地形图重叠后所决定的快速通过写入(QPW)操作的操作区域示意图。

图10是依照本发明的一实施例，决定快速通过写入操作的系统的架构示意图。

【符号说明】

10:缩减量

100:缩减量地形图

102、104:区域

110:编程枪数地形图

112、114:区域

200:分析电路

202:存储单元阵列

204:存储单元

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

本发明在步进编程脉冲操作中可以决定引入快速通过写入操作的时间点，其中快速通过写入(QPW)操作的位线电压也可以配合设定，如此可以估计出位线电压与快速通过写入操作的时间点两者构成的最优化的操作区域。根据本发明所建立的缩减量地形图与编程枪数地形图的模型，经过二者交插比对后可以决定出引入快速通过写入(QPW)操作的时机以及可所施加的位线电压范围。

以下举一些实施例来说明本发明，但是本发明不限于所举的实施例。

图1是依照本发明的一实施例，存储器装置中的多个MLC存储单元对应多阶的阈值电压分布示意图。参阅图1，在上部的阈值电压分布是一般可能的情形。例如以二位的存储单元，其有四种阈值电压对四种存储状态。对应各阶的阈值电压分布，其尾端区域可能会重叠。例如，存储单元读出的阈值电压值落在重叠区域，会有困难决定所属的封包，甚至可能造成数据错误，其后需要繁杂的错误码修正的处理。

继续参阅如图1的下部，如果能够将阈值电压分布的宽度可以适当缩减，则各阶的阈值电压可以经清楚区分，以减少错误数据的发生机率。

本发明采用在ISPP操作下，适当引入QPW操作，可以将阈值电压分布封包的后缘内缩，如此至少可以减少与下一个封包的重叠区域。

在估计出QPW操作的模式前，本发明先对ISPP操作与QPW操作对应一些操作参数的变化进行详细探究与验证，其后可以决定出QPW操作的条件。

图2是依照本发明的一实施例，存储单元的阈值电压(Vt)相对栅极电压(Vg)所测量的变化曲线示意图。参阅图2，对存储单元阵列的存储单元进行阈值电压的实际测量。在存储晶体管的栅极施加栅极电压(Vg)。栅极电压(Vg)例如从10V变化到20V。栅极电压(Vg)的波形是脉冲，脉冲时间宽度例如是以1微秒、2微秒及3微秒为例，在ISPP操作下可以测量出阈值电压随着栅极电压(Vg)的变化。

图3是依照本发明的一实施例，根据图2的数据转换成有效电流密度(J

Vg

J

其中V

经过图3的验证，在ISPP的操作时，如果同时施加位线电压(V

以下根据根据式(1)与式(2)的关系，进一步在ISPP操作配合位线电压(V

ΔVt

图4是依照本发明的一实施例，在Vt对Vg的线性区域，进行步进编程脉冲(ISPP)操作配合快速通过写入(QPW)操作的机制示意图。参阅图4，取图2的线性区域，即是栅极电压(Vg)大于16V的范围。在ISPP操作中，栅极电压(Vg)会步进增加。如果V

ΔPV＝V

在栅极电压的编程脉冲达到预先编程验证电压(pre-PV)后，会开始施加位线电压(V

图5是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，根据图2的曲线在编程验证电压处的曲线斜率示意图。参阅图5，根据前述斜率(S

图6是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，实际测量下存储单元的累积率示意图。参阅图6，依照位线电压(V

图7是依照本发明的一实施例，依照预先编程验证电压到编程验证电压的一电压差值(ΔPV)的变化，针对阈值电压封包分布的宽度缩减量的仿真数据与测量数据的比对示意图。参阅图7，根据图5经由仿真所估计的阈值电压封包分布的宽度缩减量是以圆点表示。根据图6经由测量所估计的阈值电压封包分布的宽度缩减量10是以方形点表示。模拟与测量的结果在一个程度内可以视为吻合。如此，本发明的仿真的模型可以合理反映出阈值电压封包分布的宽度缩减量。

图8是依照本发明的一实施例，缩减量地形图与编程枪数地形图示意图。参阅图8，其根据图5依照变化在一范围内例如0.1V到0.35V的多个位线电压(V

另外，类似地依照多个位线电压(V

于此可以注意到，由于本发明的模型已确认具有正确性，图8的数据可以根据模型做大量仿真以利于估计，其不需要实际测量，或是仅需要简单的测量确认即可。

图9是依照本发明的一实施例，缩减量地形图与编程枪数地形图重叠后所决定的快速通过写入(QPW)操作的操作区域示意图。参阅图9，将图8的缩减量地形图100与编程枪数地形图110相叠置，区域102与区域112重叠的区域可以决定出位线电压(V

从图9的结果，本发明可以将位线电压(V

再从硬件的系统来看，图10是依照本发明的一实施例，决定快速通过写入操作的系统的架构示意图。参阅图10，决定快速通过写入操作的系统例如包括一分析电路200与一分析程序存储单元204，其中分析电路200被配置成从分析程序存储单元204取得分析程序对存储单元阵列202的存储单元进行操作，以执行如前述得到缩减量地形图100与编程枪数地形图110的步骤。

具体而言，决定快速通过写入操作的系统被配置成执行多个步骤包括依照变化在第一范围内的多个该位线电压以及变化在第二范围内的多个该电压差值，估计在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估计施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，决定由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。