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一种提高聚偏氟乙烯gamma相的成核方法

摘要

一种提高聚偏氟乙烯gamma相的成核方法,包括有以下步骤:1)以N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂配制浓度为5%聚偏氟乙烯(PVDF)/羧基化聚酰胺胺溶液(PAMAM‑COOH);2)将步骤1)中的溶液滴入载玻片上,并在70℃真空烘箱中固化成膜;3)将步骤2)制得的固化膜在200℃的热台上熔融消除热历史,然后快速降温到155℃恒温结晶,至共混膜完全结晶;本发明γ相聚偏氟乙烯介电膜的制备方法工艺简单、操作方便、且性能优异,如耐高温、耐腐蚀、压电性与铁电性较强,可实现作为一种耐高温功能性高分子材料,在电容器、传感器、信息储存、电子器件和耐高温的热敏性材料等方面均有潜在的应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN112708154A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 陕西科技大学;

    申请/专利号CN202110021228.9

  • 发明设计人 王海军;刘坤;刘子雄;

    申请日2021-01-08

  • 分类号C08J5/18(20060101);C08L27/16(20060101);C08L79/02(20060101);

  • 代理机构61202 西安西达专利代理有限责任公司;

  • 代理人刘华

  • 地址 710021 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学

  • 入库时间 2023-06-19 10:46:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-07

    授权

    发明专利权授予

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