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基于波导光栅耦合器的阵列激光器及其制备方法

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摘要

本发明提供一种基于波导光栅耦合器的阵列激光器及其制备方法，该激光器由下至上为N型注入电极Au/Ge/Ni/Au、N型GaAs衬底、Al0.1Ga0.9As/Al0.9Ga0.1As交替生长的下DBR、量子阱有源区Al0.2Ga0.8Al0.12In0.18Ga0.7As、氧化电流限制层Al0.98/Ga0.02As、Al0.1Ga0.9As/Al0.9Ga0.1As交替生长的上DBR、SiO2钝化层、P型注入电极Ti/Au、紫外固化胶、波导基底；垂直耦合波导；横向耦合波导层；二维衍射光栅。利用波导光栅耦合器，减小整体光谱线宽。不需要二次外延实现波导层的制备，降低制备成本，提高生产良率。

著录项

  • 公开/公告号CN112688170A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202011551878.6

  • 发明设计人 关宝璐;黎豪;

    申请日2020-12-24

  • 分类号H01S5/42(20060101);H01S5/125(20060101);H01S5/187(20060101);H01S5/183(20060101);H01S5/042(20060101);G02B6/132(20060101);G02B6/42(20060101);G02B6/43(20060101);

  • 代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;

  • 代理人郑朝然

  • 地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 10:40:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/42 专利申请号:2020115518786 申请公布日:20210420

    发明专利申请公布后的驳回

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