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法律状态
2023-10-31
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C07D 251/24 专利申请号:2020115114797 申请公布日:20210416
发明专利申请公布后的驳回
机译: 包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 一种具有漏区和源区的原位生产的晶体管器件的制备方法以及相应的晶体管器件,所述漏极区和源极区具有可变形的端基合金和逐渐变化的掺杂剂分布
机译: P-P掺杂共轭高分子电解质的有机传输材料及其在有机电子器件中的应用及其制备方法